堅持自主創新，專利超800件

　　而在面對國外競爭對手的挑釁，屢屢獲勝的背后，則是中微半導體長期以來堅持自主研發所獲得的過硬的自主技術專利。

　　據了解，目前中微的反應臺交付量已突破582臺;單反應臺等離子體刻蝕設備已交付韓國領先的存儲器制造商;雙反應臺介質刻蝕除膠一體機研制成功，這是業界首次將雙反應臺介質等離子體刻蝕和光刻膠除膠反應腔整合在同一個平臺上。

　　同時，中微一些基礎的研發也不斷地跟進尖端技術，以保證產品的研發能夠緊緊跟上甚至領先于國際上的技術發展水平。

　　中微半導體首席專家、副總裁也表示，刻蝕尺寸的大小還與芯片溫度有一一對應關系，中微自主研發的部件使刻蝕過程的溫控精度保持在0.75攝氏度內，達到國際領先水平。

　　氣體噴淋盤是刻蝕機的核心部件之一，中微半導體聯合國內其他科技公司開發出了一套創新工藝，用這套工藝制造的金屬陶瓷，其晶粒十分精細、致密。與進口噴淋盤相比，國產陶瓷鍍膜的噴淋盤使用壽命延長一倍，造價卻不到五分之一。

　　正是由于在刻蝕機及相關領域的不斷突破和創新，也使得中微半導體在刻蝕機市場份額快速增長。

　　資料顯示，截至2017年8月，中微已有500多個介質刻蝕反應臺，并在海內外 27 條生產線上生產了約 4000 多萬片晶圓;同時，中微還開發了 12 英寸的電感型等離子體 ICP 刻蝕機;此外，中微還開發了 8 英寸和 12 英寸 TSV 硅通孔刻蝕設備，不僅占有約50%的國內市場，而且已進入臺灣、新加坡、日本和歐洲市場，尤其在 MEMS 領域擁有意法半導體(ST)、博世半導體(BOSCH) 等國際大客戶。

　　而在專利方面，中微半導體共申請了超過800件相關專利，其中絕大部分是發明專利，并且有一半以上已獲授權。

　　目前尹志堯的團隊精英中，上百人都曾是美國和世界一流的芯片和設備企業的技術骨干，大都有著20到30多年半導體設備研發制造的經驗。而且這些工程師們必須有著物理、化學、機械、工程技術等50多種專業知識背景。

　　今年4月，中微半導體 CEO 尹志堯在公開合表示，目前中微半導體在全球各地已經建置共計 582 臺刻蝕反應臺，并預期今年將增長至 770 臺。目前中微半導體產品已經進入第三代 10nm、7nm 工藝，并進入晶圓廠驗證生產階段，即將進入下一世代 5nm、甚至 3.5 nm 工藝。

　　尹志堯表示，未來十年將持續開發新產品，擴大市場占有率，中微的目標是：2020 年 20 億元、2050 年 50 億元，并進入國際五強半導體設備公司。

　　5nm刻蝕機意味著什么?

　　不過，需要注意的是中微半導體5nm刻蝕機的研發成功和獲得臺積電采用，并不代表著中國大陸就可以自己生產5nm工藝芯片了。因為芯片的生產工藝非常的復雜，刻蝕只是眾多關鍵環節當中的一環。

　　但是，很多自媒體為了吸引眼球，卻往往故意夸大事實，以點概面，以5nm刻蝕機這一個環節上的突破，就大肆宣揚“中國已打破國外壟斷，掌握5nm技術”、“中國已可以制造5nm芯片”。

　　在去年尹志堯在接受央視媒體采訪曾表示，“國際上最先進的芯片生產公司像英特爾、臺積電、三星，它們的14nm已經成熟生產了，10nm和7nm很快進入生產，所以我們必須超前，5nm今年年底基本上就要定了，現在進展特別快，幾乎一年兩年就一代，所以我們就趕得非常緊。”

　　顯然，尹志堯在視頻中所指的5nm是指的5nm的刻蝕機。但是，隨后這段采訪就被一大波媒體斷章取義，不顧事實的大肆吹噓。搞得尹志堯不得不在朋友圈發文辟謠：“中微不是制造芯片的，只是為芯片廠提供設備”。“如此墮落的文風誤國誤民，給真正埋頭苦干的科學家和工程師添堵添亂添麻煩。”

　　尹志堯今年在接受采訪時再次強調：“宣傳要實事求是，不要夸大，更不要為吸引眼球，無中生有，無限上綱。說我們的刻蝕機可以加工5納米器件，也只是100多個刻蝕步驟中的幾步。”

　　確實，正如我們前面所說，刻蝕只是芯片制造眾多關鍵環節當中的一環，在先進制程的刻蝕設備領域取得突破雖然可喜，但是在其他如光刻機等領域，中國仍處于嚴重落后。目前國內進展最快的上海微電子也只是實現了 90nm 光刻機的國產化。

　　當然，我們也不能妄自菲薄，除了中微半導體之外，不少國產半導體設備廠商也在一些相關領域的先進制程設備上取得了突破。比如，在14nm 領域，硅/金屬刻蝕機(北方華創)、薄膜沉積設備(北方華創)、單片退火設備(北方華創)和清洗設備(上海盛美)已經開發成功，正在客戶端進行驗證。

　　相信隨著國產半導體設計及設備廠商的努力，以及中國半導體市場的需求快速增長的拉動，中國芯將會越來越強大。