今年第三季度，NAND閃存依然處于供給吃緊的狀態，主要是顆粒廠面向3D工藝的轉型步伐較慢，低于預期。

　　而需求方面，手機、服務器、數據中心依然表現強勢。

　　不過，來自集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)的最新報告稱，在明年，NAND閃存的市場將達到一種穩態局面。其中，供給側的產能將提升42.9%，而需求側，增長預計在37.7%。

　　目前在3D閃存方面，三星的轉產最為順利，已經在Q3開始量產64層堆疊，而其它廠商的64層甚至72層則仍需要2018年落地。

　　據悉，在明年的所有3D閃存中，3D閃存出貨的占比預計將最高可達70%，其中三星預計60%～70%、SK海力士預計40%～50%、東芝預計50%、美光/Intel合計預計在40%～50%。