東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出采用低高度SO8L封裝的新型柵極驅動光電耦合器“TLP5832”。該產品提供2.5A峰值輸出電流，可直接驅動中級IGBT。出貨即日啟動。

　　新IC采用SO8L封裝，封裝高度比東芝采用SDIP6和DIP8(LF1選項)封裝的現有產品降低約54%，可為封裝高度有限的電路板安裝提供支持，同時有助于實現芯片組小型化。盡管尺寸小，但是該IC可保證爬電距離和至少8mm的電氣間隙，使其適合需要高隔離性能的應用。

　　此外，該新型柵極驅動光電耦合器可在–40至+110攝氏度的全部工作溫度范圍內保證傳輸延遲和傳輸偏差。可通過降低溫度裕度實現逆變器電路的高效設計。

　　根據2015年和2016年的銷售額，Gartner最新市場報告肯定了東芝作為光耦合器領先制造商的地位。2016財年，東芝相關產品占有23%的銷售市場份額。(資料來源：Gartner, Inc.“市場份額：2016年全球半導體設備和應用”，2017年3月30日。)

　　東芝將根據市場趨勢促進多樣化光電耦合器和光繼電器產品組合的開發，繼續提供滿足客戶需求的產品。

　　應用場合

　　· IGBT/MOSFET驅動

　　· 工業變頻器

　　· 太陽能變頻器

　　· 伺服放大器

　　· 空調變頻器

　　特點

　　· 薄型SO8L封裝，厚度為2.3mm

　　· 爬電距離/電氣間隙：8mm(最大值)

　　· 具備長壽命特點的LED

　　· 高工作溫度：Topr= 110°C(最大值)

　　· 峰值輸出電流：IOPH，IOPL =±2.5A(最大值)

　　主要規格

　　(除非另作說明，Ta=-40-110℃。所有典型值條件為Ta = 25℃)