存儲器解決方案全球領導者東芝存儲器株式會社今日宣布，公司已開發出采用堆疊式結構[1]的96層BiCS FLASH?三維(3D)閃存的原型樣品，該產品采用三位元(三階存儲單元，TLC)技術。該96層新產品為256千兆比特(32GB)設備，其樣品預計將于2017年下半年發布，批量生產計劃于2018年啟動。該新產品滿足企業級和消費級SSD、智能手機、平板電腦和存儲卡等應用的市場需求和性能規范。

　　未來，東芝存儲器株式會社將在不久的將來在其512千兆比特(64GB)等較大容量產品中應用其新的96層工藝技術和4位元(四階存儲單元，QLC)技術。

　　創新的96層層疊工藝結合了先進的電路和制造工藝技術，與64層層疊工藝相比，其每單元芯片尺寸存儲容量增加約40%。該工藝降低了位存儲價格并提高了每個硅晶片存儲容量的可制造性。

　　S自2007年宣布推出全球首款[2]3D閃存技術原型以來，東芝存儲器株式會社不斷推動3D閃存的發展并積極推廣BiCS FLASH?技術，以滿足市場對更小裸芯片面積 、更大容量閃存的需求。

　　該96層BiCS FLASH?將在四日市生產基地5號晶圓廠(Fab 5)、2號新晶圓廠(Fab 2)和將于2018夏季開業的6號晶圓廠(Fab 6)生產。

　　注：

　　1. 一種在硅基板上垂直堆疊閃存存儲單元的結構，相比平面NAND閃存(存儲單元位于硅基板上)，其極大地提高了密度。

　　2. 數據來源：東芝存儲器株式會社，截至2007年6月12日。

　　* 本文提及的公司名稱、產品名稱和服務名稱可能均為其各自公司的商標。