閃速存儲器芯片AT29系列的典型應用
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多年來，單片機系統都使用SRAM隨機存儲器。而存儲器在電源關閉時的數據是否能夠保持是令用戶和生產廠家都感興趣的問題。現代半導體存儲器技術已進入納米級容積和納秒級速度階段，各種規格的存儲器也相繼出現。AT29系列芯片是一種與通用的SRAM如6264、62256等在芯片引腳、讀出與接口方法上都完全兼容的存儲器，而且寫、擦數據可編程。本文描述了AT29C010的編程（寫）操作方法。
AT29系列的編程是一個簡單的可重復的過程。將每種芯片的總存儲量劃分成為數個存儲陣列（扇區），每次編程一個扇區，不同型號存儲器的扇區容量和扇區數不相同，其標識也就不同。AT29C系列在單電源5V或3V時的編程時間分別為10ms或20ms。其中AT29C系列中的AT29C256共含有512個扇區，每個扇區為64字節；AT29C040含有1024個扇區，每個扇區各為512字節。如果在準備好數據和扇區號的情況下，所有AT29系列的編程可使用同一個算法，而僅需三條LOAD命令，稱為“寫保護數據”（SDP）。在三條命令之后是編程寫入等待時間（Twc）。寫數據保護手段可用于訪問廠家標識、芯片標識、寫數據和擦除數據等操作，而只有讀數據操作不必事先進行“寫數據保護”。三條LOAD命令按操作不同而略有區別。如訪問芯片標識裝入‘90H’和‘F0H’，寫數據到指定扇區則為‘A0H’，而擦除操作則為‘80H’和‘10H’。三條LOAD命令的流程如圖1所示。圖中括號內為DATA總線上的數據，箭頭右邊是AT29的芯片地址。AT29C010系統寫數據保護的運行時序如圖2所示。
2 AT29C010的性能特點
AT29C010具有低功耗、可重復編程、存儲容量大以及可進行數據保護等功能和特點。它的動態工作電流為50mA。同時具有CMOS保持狀態，此狀態下的電流為100μA。其每扇區可重復編程和擦除次數大于1萬次，寫定時周期為10ms，讀出時間達70ns，AT29C010的存儲容量為1兆位（128×8）存儲單元、1024個128字節扇區，同時還帶有內部可控制定時器和兩個8k字節塊封鎖，以及軟件數據保護和編程結束檢驗功能。所有AT29系列芯片的出廠標識均為1FH。表1列出了AT29C系列芯片在采用單5V電源時的性能比較。
以AT89C51為核心的單片機系統一般都連接有SRAM數據存儲器，而利用AT29C010可在關閉電源前將數據保存起來。圖3所示是AT89C51和AT29C010的接口電路，其中的地址范圍分別為：
由于Write＿Sector匯編程序先要執行“寫數據保護”命令，因此，A0～A2的地址線分別由AT89C51的P0、P2提供，A13～A16則由P1的低4位提供。在寫操作中，讀信號始終為HIGH高電平。下列延時程序中的delay 10ms假設為已知。具體程序如下：
b lock—number EQU08h；扇區高端地址A13～A16
的內容
s ector—size EQU7Fh；數據長度0～127 
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