一. 引言

　　目前，嵌入式系統已經滲透到各個領域：工業控制，軍事國防，消費類電子產品，網絡通信等，但大部分領域的應用都是基于國外各大廠商的嵌入式處理器。在嵌入式領域使用國產芯片，走國產化道路已經成為一個迫切需要解決的問題。目前國內的芯片主要有星光系列、漢芯系列、神威系列、青鳥嵌入式芯片、方舟系列、龍芯系列等，這些芯片各有自己的特點。

　　本設計采用了龍芯系列的GS32I SoC處理器，探討并設計如何構造一個小型嵌入式硬件系統，同時兼顧科研與應用兩方面的要求，在該平臺的基礎上可以連接各種外設進行嵌入式算法的實驗。該系統經簡單修改能方便地應用在軍事、工業控制、數據采集等領域。

　　二. 芯片簡介

　　目前龍芯系列微處理器有龍芯1號，龍芯2號微處理器。龍芯2號集成了橋芯片，采用分離的32位地址/數據總線，因此本設計采用基于龍芯2號的GS32I SoC處理器。

　　GS32I高集成系統設備，提供了高帶寬的存儲總線，一個100/125MHz SDRAM控制器和一個SRAM/Flash EPROM控制器;48個GPIO口，其中22個專用，可以多路復用，以便在需要的時候能提供額外的功能;33/66MHz、32位PCI控制器(兼容 PCI2.2);兩個10/100M以太網控制器;通用串行總線(USB)主機及裝置控制器，兩個通用異步收發器，一個AC97控制器，一個PCMCIA 控制器。GS32I處理器內部還實現了與MIPS32兼容的基于TLB的虛擬地址轉換單元、例外機制、中斷機制、指令控制、時鐘產生等功能。GS32I提供了強健的電源管理，有空閑和睡眠兩種省電模式，還提供有EJTAG接口，用于系統連續檢查。

　　三. 小系統的設計

　　GS32I總線采用系統總線(SBUS)與存儲器和外部設備通信。SBUS是GS32I處理器內部的36位物理地址和32位數據地址總線。需要高帶寬或者需要離CPU近的設備連到SBUS總線，包括存儲器控制器(SDRAM， FLASH/SRAM)、32位PCI總線接口控制器、DMA 控制器、USB1.1控制器和以太網控制器。不需要高帶寬連接的設備均連至片上外部總線PBUS，外部總線的頻率始終是系統總線(SBUS)頻率的一半。 PBUS設備包括電源控制單元、中斷控制器、時鐘定時器、通用I/O、UART、AC97控制器。

　　1. 系統總體設計

　　小系統硬件功能框圖如圖1所示：

　　圖1 總體框圖

　　系統設計包括CPU啟動和復位電路以及外部I/O設備的地址擴展;包括FLASH和SRAM在內的存儲系統的設計;RS232串口;用于人機交互的4×4小鍵盤和4位LED數碼管，另外還提供了八路開關量的輸入/輸出、 A/D和D/A轉換器以及用來實驗和測試的EJTAG接口等。

　　2. 系統的啟動與復位

　　龍芯GS32I支持16位和32位啟動。管腳 ROMSEL和ROMSIZE的狀態決定了CPU啟動ROM的寬度和類型，此表如下所示：

　　基于系統國產化的需求，使用免費開放源代碼的Linux操作系統便于實現國產化。為了方便其嵌入，本系統設置為32位FLASH啟動，即把ROMSEL和 ROMSIZE都置為低電平。啟動時，若ROMSEL為低電平，則RCSO#缺省設置為有效，并且對Ox0 1FCO 0000使能，CPU從物理地址Ox0 1FCO 0000地址開始執行程序。因此，FLASH或ROM的起始地址應該通過RCS0#映射到此處。系統復位模塊提供GS32I處理器的硬件復位和軟復位。當管腳VDDXOK和RESETP#都有正電平跳變時，硬件復位有效，這一般在系統加電時產生。

　　若電源供電正常，且VDDXOK保持，當RESETP#發生正電平跳變時，軟件復位有效。這種復位對一些寄存器，特別是系統控制塊寄存器沒有影響。復位芯片采用可監視供電電源的低功耗芯片MAX811SU，電路原理如下圖所示：

　　圖2 RESET電路

　　3. 存儲系統的設計

　　GS32I提供了高帶寬的存儲總線，一個100/125MHz SDRAM控制器和一個SRAM/Flash EPROM控制器。SRAM/Flash EPROM控制器可以支持FLASH 、SRAM、LCD 、PCMCIA和外部I/O設備等。

　　針對存儲容量要求比較低的小型嵌入式系統，SRAM設計為16M bit，FLASH設計為64M bit，已能夠滿足應用需求。SRAM/Flash EPROM控制器有四個可編程的片選信號RCS0#～RCS3#，本文將RCSO#，RCS1#用于FLASH和SRAM，RCS2#用做對外部I/O設備的地址擴展。

　　本設計采用了2片Intel公司的28F320C3 FLASH，作為系統ROM區，存放操作系統和用戶應用程序;兩片ISSI公司的IS61LV51216 SRAM，作為系統RAM區，存放系統數據和用戶數據。其中RCS0#用于FLASH的片選信號，與FLASH的CS#連接，RCS1#用于SRAM的片選信號。關于存儲器的硬件設計示意圖如圖所示：

　　圖3 存儲系統的硬件設計示意圖

　　⑴ FLASH接口設計及相關寄存器的設計

　　28F320C3 FLASH的存儲容量為2M×16 bit。由于SRAM/Flash EPROM控制器設置為32位總線寬度，使用兩片28F320C3 FLASH擴展為32位總線寬度，地址線連接至GS32I地址總線的RAD2～RAD22，每次讀取四個字節; GS32I復位后起始地址是 0x0 1FC0 0000，FLASH的地址被裝載到此處，每個片選信號的地址映射范圍是通過設置片選地址寄存器mem_staddr0來實現的，片選地址寄存器 mem_staddr0的格式如下所示：

　　當E位置為1并且滿足條件“(physical_addr&CSMASK)==CSBA”時，片選信號將變為有效。 physical_addr是內部系統總線作為輸出的實際的36位物理地址，CSBA用來指定這個片選信號的物理基地址的31：18位，CMASK用來指定CSBA的哪些位被用來譯碼片選信號。CSBA的高四位，也就是35：32位由mem_stcfg0寄存器的DTY域來決定。本系統中，mem_stcfg0寄存器的DTY域設置為3，則對應的高四位35：32位的值為0000B，CSBA設置為0x07F0，CMASK設置為 0x3FF0這樣FLASH的地址就被映射到0x0 1FC0 0000—0x0 1FFF FFFF。

　　FLASH最快讀取速度為70ns， CPU系統總線周期為10ns(100MHz)，因此在讀取FLASH時需要插入等待狀態，通過設置靜態時序寄存器mem_sttime0來插入等待周期。靜態時序寄存器mem_sttime0的格式為：

　　Ta域為數據有效時片選信號要求插入的周期數，考慮到系統的穩定性，根據FLASH的讀取參數，插入7個等待周期，因此Ta域設置為7。Ta域默認值為29，在選取啟動ROM芯片時，若芯片讀取參數需要插入的等待周期超過29，則這種芯片不可用。Tcsh域用來指定在兩次訪問期間片選信號保持的時鐘周期數，這里設置為0。

　　⑵ SRAM接口設計及相關寄存器的設計

　　SRAM的存儲容量設計為512K×32位，可使用兩片IS61LV51216 SRAM(512K×16)通過位擴展實現。將RCS1#連接到SRAM的片選信號CS#上，地址線連接至GS32I地址總線的RAD2～RAD20，地址范圍是通過設置片選地址寄存器mem_staddr1來映射的，設置方法與mem_staddr0的實現相同。

　　SRAM時序與CPU的配合是通過設置靜態時序寄存器mem_sttime1來完成的，mem_sttime1的格式與的mem_sttime0相同。IS61LV51216 SRAM的讀寫速度最快為10ns, 片選信號RCS1#插入一個等待周期，Ta域設置為1，Tcsh域設置為0。對于SRAM的寫入，與其相關的域有Twcs，用來指定寫脈沖RWE#后片選信號RCS1#保持的時鐘周期數， Tcsw用來指定片選信號RCS1#有效后的幾個時鐘周期插入RWE#，Twp用來指定RWE#持續的時鐘周期數。根據SRAM的參數和SRAM的讀寫時序，本設計中，Twcs，Twp都設置為0，Tcsw設置為0000b，這樣使SRAM與CPU的時序能夠配合且保證系統的穩定性。設置完成后，SRAM 的讀寫時序如下圖所示：

　　圖4 SRAM讀寫時序圖

　　4.其他外部設備的設計

　　GS32I處理器提供48個GPIO口，其中22個專用，48個GPIO中的32個由主GPIO塊控制，另外16個是次級GPIO口。每個GPIO 口可以被配置作為輸入或輸出，并且能夠連接到內部中斷控制器對輸入的信號產生一個中斷。本設計中采用GPIO管腳作為外設的數據信號和控制信號。