英特爾(Intel)宣布將在2017年底之前啟動全新22納米鰭式場效電晶體(FinFET)制程22 FFL，相關開發套件(PDK)在接下來幾個月也將陸續到位，市場上認為22 FFL的推出，顯然是針對GlobalFoundries等業者以全空乏絕緣上覆硅(FD-SOI)為移動裝置及物聯網(IoT)應用所生產之同類芯片而來。

　　據EE Times Asia報導，英特爾稱自家22 FFL是市場上首款為低功耗IoT應用及移動裝置產品而開發出來的FinFET技術，能打造出高效能及低功耗的電晶體，漏電流(leakage)較業界28納米產品低100倍，采用相似于14納米的FinFET技術，再透過簡化互連及設計規則，使其在成本上能與28納米制程技術抗衡。

　　英特爾資深院士暨制程架構與整合部門主管Mark Bohr就提出了22 FFL漏電流相關數據，包括次臨界漏電流(sub-threshold leakage)、閘極氧化層漏電流(gate oxide leakage)、及接面漏電流(junction leakage)，并指出此三數據為影響功耗的關鍵因子，而該制程技術擁有比其他主流技術更低的漏電流。

　　雖然英特爾拒絕提供22 FFL與22納米FD-SOI的具體比較資訊，不過該公司內部已開始有為22 FFL所設計的產品，也期盼能吸引代工業客戶的青睞。英特爾客戶暨IoT事業與系統架構事業群總裁Murthy Renduchintala表示，英特爾接下來在IoT及網路領域將會有更為寬廣的發展藍圖，期盼能帶來差異化的成效。

　　另一方面，臺積電不久前也才推出全新22納米超低功耗(ULP)制程技術，據臺積電發言人表示，自家22 ULP技術將可使射頻(RF)元件更上層樓，在低功耗IoT市場當中可說相當具有競爭力。

　　在英特爾發表22 FFL技術后不久，GlobalFoundries資深產品管理副總Alain Mutricy便提出回應，表示自家制程完全符合生產要求，GlobalFoundries擁有超過50家來自移動裝置、IoT及車用裝置這些高成長領域的客戶，也能感受到來自客戶的強勁需求，。

　　Mutricy近期亦在GlobalFoundries官網的一篇部落格文章中提到，該公司除了計劃在2020年之前要將德國Dresden廠的22納米產能提升40%外，2月時也曾宣布，將于2019年開始在大陸的合資廠投入22納米FD-SOI(22FDX)產品生產。

　　Mutricy并指出，在GlobalFoundries的22納米FD-SOI制程規劃發表了近兩年后，如今英特爾與臺積電也推出全新低功耗22納米制程技術，顯見22納米節點已開始成為半導體業兵家必爭之地。