臺積電、三星電子(SamsungElectronics)、英特爾(Intel)高階制程戰火趨烈，聯電亦傳出14納米FinFET制程力拚2017年第2季小量出貨，但搶下頭香的并非是移動通訊客戶，而是比特幣礦機制造商BitFury，由于聯電亟需14納米量產記錄，以突破政府對于先進制程N-1世代登陸的限制，內部目標是2017年中讓廈門12吋廠進入28納米生產，BitFury訂單量雖不大，但對于聯電而言將是雪中送炭。

　　聯電規劃廈門12吋廠時，對外公布是從40/55納米制程切入，但當時設備商就傳出聯電采購的機臺設備是通用于28納米，業界認為聯電廈門12吋廠終極目標是量產28納米。

　　當時聯電在臺灣晶圓廠28納米剛起步，14納米FinFET制程更未見身影，但政府規定高階制程登陸量產，必須符合N-1世代的法令限制，若聯電大陸12吋廠要生產28納米，前提是臺灣晶圓廠必須先進入14納米量產。

　　聯電14納米FinFET制程量產，必須要有客戶拔刀相助，原本寄望聯發科、高通等移動通訊芯片大客戶能幫忙，然傳出多數客戶都考量良率問題而止步，比特幣商BitFury成為首家對聯電14納米制程投片的客戶。

　　業界傳出聯電希望14納米FinFET制程能夠在2017年第2季小量出貨，第3季大量交貨，同時借著14納米在臺灣量產記錄，突破政府N-1世代法令限制，申請讓28納米制程到廈門廠生產。

　　業者認為聯電急著讓28納米登陸，在戰略上是正確的，因為臺積電南京廠從16納米切入，中芯28納米僅量產PolySiON制程，三星28納米制程在大陸推展不順，GlobalFoundries更是回頭攻低階FD-SOI制程，大陸28納米供應商除了臺積電以外，找不到適合又穩定的第二供應商，而聯電廈門12吋廠戰略就是要卡住這個空窗期。

　　其實聯電28納米量產過程一波三折，雖然有大客戶高通(Qualcomm)等協助，但拖了3年高階HKMG制程才見身影，除了臺積電28納米一路過關斬將進入第六年，且每年有降價版本推出外，其他半導體大廠28納米量產過程都十分艱辛，然因未來物聯網、車聯網都適用，28納米將是具競爭力又長壽的制程。

　　全球半導體產業競爭愈益激烈，大陸展訊與英特爾合作14納米，英特爾在晶圓代工領域正與臺積電一別苗頭;中芯和高通、華為、比利時微電子成立合資公司研發14納米，然一直未有技術突破。

　　日前三星LSI部門高階主管泄漏14/10納米技術案，引發市場震撼，韓媒指稱三星LSI部門高階主管將14/10納米技術賣給某大陸公司，業界紛揣測是中芯，由于中芯原計劃14納米FinFET制程在2020年量產，但日前動土的上海廠將切入14納米，預計2018年量產，時間點啟人疑竇。

　　大陸提出2020年半導體芯片自制率50%目標，然目前自制率不到15%，多數受限于技術和產能，且對于物聯網、車聯網相關的成熟制程，大陸8吋廠亦面臨產能不足問題，日前中芯宣布天津廠要擴增8吋廠產能，而華虹宏力也有增加8吋廠產能計劃。

　　大陸本地的晶圓廠基于技術、產能考量，還未能大展身手之際，國際和臺灣半導體廠紛紛前進大陸蓋廠卡位，包括臺積電、英特爾、三星、聯電、力晶等都在這一波潮流下，搶先布局大陸半導體市場。