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富士通將推碳納米管內存:55nm工藝 比閃存快一千倍

作者: 時間:2016-09-05 來源:超能網 收藏

  在納米技術研究領域,碳納米管(也叫富勒烯,簡稱CNT)是一種很獨特的材料,直徑只有人類頭發的5萬分之一,能導熱導電,硬度是鋼鐵的50倍,話說小編學生時代就經常聽到以碳納米管為基礎的各種高科技,包括各種神器的電池。在存儲領域,碳納米管通過硅基沉底也能實現0、1變化,因此也可以存儲芯片,而且是非易失性的,斷電也不會清除數據。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/201609/296466.htm

  

 

  

 

  NRAM存儲的優勢

  相比普通閃存,NRAM存儲芯片的優勢太多了,讀寫速度是普通閃存的1000倍(Nanteo官網上說是1000倍,圖表上是100倍),同時功耗更低,可靠性、耐用性更強,成本更低。

  Nantero這次與合作,后者將把NRAM內存整合到自家芯片中,預計2018年底推出,制程工藝為55nm。

  不過話說回來,NRAM還是新技術,Nantero公司從2006年就說生產了,但是一直沒什么進展。即便是跟達成合作了,量產的NRAM芯片還是256Gb(32MB)大小的,容量還是太小了,只適合一些嵌入式領域。

  

 

  



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