電動汽車的運行條件不同于工業應用條件，對電驅動用逆變器的核心元器件功率模塊不僅要求體積小、重量輕、效率高、冷卻方法簡單等，而且要求更高的可靠性、更長的壽命以及安全無故障運行。

　　作為全球首家開發汽車級功率模塊的三菱電機從1997年起就將汽車級功率模塊成功地應用于電動汽車中，迄今為止，已具有20年成功開發汽車級功率模塊的豐富經驗。

　　據介紹，三菱電機最早推出的是客戶定制型的汽車級IGBT模塊和智能功率模塊(IPM)，隨后推出了非定制型的J-series汽車級功率模塊T-PM，它是一種采用壓注模封裝的2in1 IGBT模塊，內部采用直接主端子綁定結構(DLB)，提高了模塊的功率循環壽命和熱循環壽命，內置了硅片級的溫度傳感器(檢測IGBT-chip的結溫)和電路傳感器(直接檢測發射極電流)，將其輸出溫度/電流信號用于過溫保護和短路保護時可使保護更精確更及時進而更可靠，這些都是電動汽車用驅動器所需要的。同時，針對汽車級模塊的顯著特點，三菱電機開發了配套的汽車級驅動LVIC，它可實現無負壓關斷，并具有在欠壓、過溫及其短路故障時實現軟關斷保護功能。

　　目前，三菱電機正在逐步推出新一代的J1-Series汽車級功率模塊EV PM，J1-series汽車級功率模塊不僅沿襲了J-series T-PM的顯著優點如直接主端子綁定結構(DLB)、硅片級溫度傳感器和電流傳感器，而且采用更低損耗的第7代CSTBTTM硅片技術，使效率更高;同時采用6in1的 Pin-Fin結構，使得封裝尺寸減少40%，導熱性能提高30%，具有更高的功率密度，更便于冷卻及散熱器安裝，提升產品的性能價格比。

　　三菱電機半導體大中國區高級技術經理 何洪濤

　　就如何開發出滿足汽車要求的功率模塊來說，需要在三個方面進行技術創新：即功率硅片技術、封裝技術以及功能集成技術。

　　在功率硅片技術方面，三菱電機致力于持續開發更低功耗的新一代IGBT硅片技術乃至Si硅片技術;在封裝技術上，通過改進模塊內部構造和綁定線技術以及底板冷卻結構，減小熱阻和封裝尺寸，提高功率密度，同時提升模塊的可靠性和壽命;在功能集成技術方面，不斷優化內置的溫度/電流傳感器，并采用先進的智能ASIC和可調的驅動器，實現更高的精度及其性能上的優化。

　　目前三菱電機的汽車級功率模塊已涵蓋600V/300A~1000A、1200V/300A~600A的容量范圍，基本上可滿足30kW~120kW的電驅動峰值功率的應用要求。