- 柵極氧化層可靠性是SiC器件應用的一個關注點。本節介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點介紹其與Si的不同之處。SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優質的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現產品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應用于SiC器件時必須考慮到這一點。首先，與Si相比，SiC的熱氧化速率低。因此，該過程需要很長時間，而且還需要高溫。在SiC的熱氧
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三菱電機 SiC 柵極絕緣層
- 離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現對n型區域和p型區域導電性控制。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。SiC的雜質原子擴散系數非常小，因此無法利用熱擴散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結構（形成pn結）。因此，SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術：在SiC中進行離子注入時，對于n型區域通常使用氮（N）或磷（P），這是容易低電阻化的施主元素，而對于p型區域則通常使用鋁（Al）作為受主元素。另外，用于Al離子注入的原料通常是固體，要穩定地進行高濃度的Al離子注入，需
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三菱電機 SiC
- 摘要本文介紹了為工業應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統功率模塊相比，該模塊采用了分段式柵極溝槽（SDA）結構，并通過可以控制載流子的等離子體層（CPL）結構減少芯片厚度，從而顯著的降低了功率損耗。特別是，在開通dv/dt與傳統模塊相同的情況下，SDA結構可將Eon降低約60%，通過大幅降低功率損耗，模塊可以提高功率密度。通過采用這些技術并擴大芯片面積，第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機LV100封裝中實現了1800
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三菱電機 IGBT
- 與Si材料相比，SiC半導體材料在物理特性上優勢明顯，比如擊穿電場強度高、耐高溫、熱傳導性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細了解SiC材料的物理特性。SiC作為半導體功率器件材料，具有許多優異的特性。4H-SiC與Si、GaN的物理特性對比見表1。與Si相比，4H-SiC擁有10倍的擊穿電場強度，可實現高耐壓。與另一種寬禁帶半導體GaN相比，物理特性相似，但在p型器件導通控制和熱氧化工藝形成柵極氧化膜方面存在較大差異，4H-SiC在多用途功率MOS晶體管的制備方面具有優勢。此外，由
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三菱電機 SiC
- SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。在SiC晶體中存在各種缺陷，其中一些會影響器件的特性。SiC缺陷的主要類型包括微管、晶界、多型夾雜物、碳夾雜物等大型缺陷、以及堆垛層錯（SF）、以及刃位錯（TED）、螺旋位錯（TSD）、基面位錯（BPD）和這些復合體的混合位錯。就密度而言，最近質量相對較好的SiC晶體中，微管是1?10個/cm2，位錯的密度約為103～10?長達個/cm2。至今，與Si相
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三菱電機 SiC
- 三菱電機從事SiC器件開發和應用研究已有近30年的歷史，從基礎研究、應用研究到批量商業化，從2英寸、4英寸晶圓到6英寸晶圓，三菱電機一直致力于開發和應用高性能、高可靠性且高性價比的SiC器件，本篇章帶你了解三菱電機SiC器件發展史。三菱電機從上世紀90年代已經開始啟動SiC相關的研發工作。最初階段，SiC晶體的品質并不理想，適合SiC的器件結構和制造工藝仍處于探索階段，但研發人員堅信SiC MOSFET是能夠最大限度發揮SiC材料優異物理性能的器件，因此一直致力于相關研發。三菱電機于2003年開發出耐壓2
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三菱電機 SiC器件
- 11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯合開發高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產品功率半導體。雙方將聯手開發，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。目前芯片供應量尚未確認，預計最早將于2023年內開始供應。公開消息顯示，安世半導體總部位于荷蘭，目前是中國聞泰科技的子公司。11月初，安世半導體被迫轉手出售其于2021年收購的英國NWF晶圓廠。盡管同屬功率半導體公司，三菱電機與安世半導體的側重點不同，前者以“多個離散元件組合
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三菱電機 安世 SiC 功率半導體
- Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰略合作伙伴關系，共同開發碳化硅(SiC) MOSFET分立產品。Nexperia和三菱電機都是各自行業領域的領軍企業，雙方聯手開發，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。三菱電機的功率半導體產品有助于客戶在汽車、家用電器、工業設備和牽引電機等眾多領域實現大幅節能。該公司提供的高性能SiC模塊產品性能可靠，在業界享有盛譽。日本備受贊譽的高速新干線列車采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
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Nexperia 三菱電機 SiC MOSFET
- 三菱電機將與Nexperia（安世）合力開發SiC芯片，通過SiC功率模塊來積累相關技術經驗。東京--(美國商業資訊)--三菱電機株式會社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，將與Nexperia B.V.建立戰略合作伙伴關系，共同開發面向電力電子市場的碳化硅(SiC)功率半導體。三菱電機將利用其寬帶隙半導體技術開發并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia將使用這些芯片開發SiC分離器件。電動汽車市場正在全球范圍內擴大，并有助于推動Si
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三菱電機 安世 SiC
- Denso和三菱電機宣布將分別投資5億美元，入股Coherent的碳化硅（SiC）業務子公司。據外媒，日本電裝株式會社(Denso)和三菱電機宣布，將分別投資5億美元，入股美國半導體材料、網絡及激光供應商Coherent的碳化硅（SiC）業務子公司Silicon Carbide，并分別取得12.5%股權（兩家日企合計取得25%股權）。據悉，Silicon Carbide主要從事SiC晶圓等產品的制造，是于2023年4月從Coherent公司分拆出來設立的SiC業務子公司。Denso與三菱電機將向該公司采購
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三菱電機 Denso 碳化硅
- 近日，美國激光技術與加工系統供應商Coherent和三菱電機宣布，雙方已簽署一份諒解備忘錄 （MOU）并達成項目合作，將在200毫米技術平臺上擴大SiC電力電子產品的規模化生產。三菱電機宣布在截至2026年3月的五年內投資約2600億日元。其中，大約1000億日元將用于建設基于200mm技術平臺的SiC功率器件新工廠，并加強相關生產設備。根據諒解備忘錄，Coherent將為三菱電機未來在新工廠生產的SiC功率器件開發200毫米n型4H SiC襯底。資料顯示，Coherent于1966年成立于美國加利福尼亞
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三菱電機 Coherent 8英寸 SiC襯底
- 1800億只，是寧波康強電子股份有限公司沖壓引線框架的年產能。從1992年開始，康強電子深耕半導體封裝材料領域，以技術創新為驅動，穿越行業周期，不斷發展壯大。其三大業務領域引線框架、鍵合絲與電極絲均為國內翹楚，其中引線框架產銷量在國內同行中連續數年排名第一，全球市場占有率位居前七，榮獲“中國半導體材料十強企業”“中國電子材料50強企業”等榮譽稱號。2022年10月，國家級第四批專精特新“小巨人”企業的認定，不僅堅定了康強電子在這一細分領域的發展信心，更為三菱電機謀劃未來打開了新的機遇之窗。客戶痛點：精益求
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三菱電機 專精特新
- 三菱電機集團近日宣布，其新型SLIMDIP-Z功率半導體模塊將于2023年2月發布，該模塊具有30A的高額定電流，主要應用于家用電器逆變器系統。該緊湊型模塊將使SLIMDIP?系列能夠滿足逆變器單元更廣泛的功率和尺寸需求，有助于簡化和縮小空調、洗衣機和冰箱等多功能和復雜產品的體積。30A的高額定電流將助力簡化和縮小家電應用中的逆變器系統三菱電機集團近日宣布，其新型SLIMDIP-Z功率半導體模塊將于2023年2月發布，該模塊具有30A的高額定電流，主要應用于家用電器逆變器系統。該緊湊型模塊將使SLIMDI
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三菱電機 功率半導體模塊
- 據三菱電機官網消息，該公司決定退出液晶面板生產，其全資子公司Melco Display Technology Inc。（MDTI） 將于2022年6月結束TFT-LCD模組生產。圖源：鉅亨網 官網顯示，MDTI于2002年4月成立，公司預定以法人身份進行清算，在該公司工作的約 430 名員工，也將異動至動力半導體等部門。不過該公司位于日本熊本縣菊池市的工廠，目前還尚未決定如何處置。 據悉，三菱電機的LCD業務目前主要集中于工業和汽車用中小
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三菱電機 液晶面板 LCD
- 近日，據外媒報道，日本三菱電機公司宣布已開發出一種緊湊的LiDAR（激光雷達）解決方案，據稱，該解決方案集成了微機電系統（MEMS），實現了超寬的水平掃描角度，可以準確探測自動駕駛系統前方物體的形狀和距離。
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