英特爾日前公布了將用於生下一代微處理器的65nm半導體制造技術的詳情，此技術將用於多核心架構的處理器，并定於2005年開始量，將由300mm晶圓半導體制造廠負責生。

根據英特爾公布的技術內容，作運行速度指標的電晶體柵長35nm，比90nm制程縮短了約30%，電晶體柵氧化膜的厚度1.2nm。作高密度指標的柵間隔（接觸柵間隔）220nm，也比90nm制程縮短了約30%。為了同時提高密度和性能，布線層數8層，比90nm制程的布線層數多1層。布線層之間的絕緣膜使用了涂有碳的氧化膜類low-k材料。

英特爾使用這項制造技術，試了儲存容量70Mbit的大容量SRAM，并證實完全可以正常工作。英特爾表示，該公司今後仍將每2年完成一次制造技術的更新換代，摩爾定律仍將長期適用下去。

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