采用新型IGBT優化軟開關應用中的損耗
電壓諧振電路里的RC-IGBT
對于190V~240V交流輸入電壓而言,RC-IGBT具有低飽和壓降和正向電壓:
1. 對于1.8kW的應用:IHW15N120R2(Vce=1,200V, Ic=15A@Tc=100℃);
2. 對于2.0kW的應用:IHW20N120R2(Vce=1,200V, Ic=20A@Tc=100℃);
3. 對于2.2kW的應用:IHW25N120R2(Vce=1,200V, Ic=25A@Tc=100℃);
4. 對于2.4kW的應用:IHW30N120R2(Vce=1,200V, Ic=30A@Tc=100℃)。
為了測量IGBT的集電極電流Ice,應在發射極和地之間使用超低阻值的取樣電阻器。圖11為Vce和Ic的波形(搪瓷燒鍋負載)。工作頻率為29.1kHz,LC電路在諧振范圍之外(電磁爐的溫度模式為50℃)。
圖11: 1.8kW電磁爐應用(IHW20N120R2)的電壓諧振電路波形
本文小結
針對軟開關應用進行優化的RC-IGBT技術可大幅度降低飽和壓降造成的損耗。最大結溫提升到175℃進一步增強了芯片的電流能力。關斷開關損耗以及發射極關斷電流幾乎沒有變化。
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