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CMOS工藝多功能數(shù)字芯片的輸出緩沖電路設(shè)計(jì)

作者: 時(shí)間:2012-06-08 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

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由圖3(a)(b)(c)(d)可知,在器設(shè)計(jì)為三級(jí)反相器鏈的情況下,器的上升時(shí)間tr=17.6 ns,tf=16 ns,td=15.84 ns。
2)把器設(shè)計(jì)為五級(jí)反相器鏈,如圖4所示。
圖4中各個(gè)PMOS管和NMOS管的尺寸分別為(取S=2.72)。

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則同樣通過(guò)HSPICE仿真軟件,在0.6μm CSMC 2P2M庫(kù)下的仿真結(jié)果為(負(fù)載為100 pF電容,1 kΩ電阻)。如圖5(a)(b)(c)(d)所示,主要考慮仿真結(jié)果中的反向器鏈的上升時(shí)間tr、下降時(shí)間tf、上升延遲和下降延遲td。

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