這一小尺寸、高效率的高頻封裝使得總體電源設計具有非常小的占位面積。 MOSFET、輸入電容、電感和輸出電容都嵌入到一個非常小的區域。 小尺寸電源系統最小化了開關節點區域，降低了從 SW 節點輻射出電磁干擾 (EMI) 噪音的風險。

　　封裝底部的裸露 GND 和 V+ 焊盤支持從 MOSFET 晶圓到銅箔到環境的高效熱耗散路徑。

　　在設計具有最少寄生參數和最佳開關性能的封裝時，輸入電容與封裝 V+ 到 GND 引腳之間形成的小環路大小至關重要。 Power Clip 封裝上優化的 V+ 和 GND 引腳布局支持輸入電容非常緊密的布局，以最大限度地減少環路面積，并減少寄生電感和開關損耗。

　　如圖10所示，在 Power Clip 設計中，高頻開關環路顯著減小。 在開關轉換期間，比如從 LS-off到 HS-on或從 HS-off到 LS-on，電流必須快速從一個 MOSFET 轉換到另一個。 這一轉換操作發生在由兩個功率 MOSFET 和輸入電容組成的環路之間。 該環路中的瞬態開關比輸出電感中電流的紋波頻率快幾個數量級。 因此，這是決定開關損耗的環路。 對于一對分立式 MOSFET ，開關電流在返回到輸入電容之前必須流經整個 HS 和 LS Mosfet。 對于 Power Clip 封裝，電流出入于一個緊密環路中封裝的同一面，僅由兩個引腳的間隔隔開。 在分立元件的布局中，高頻環路大小受到 MOSFET 的封裝尺寸的限制。 對于 Power Clip，環路大小受到輸入電容的大小的限制。

　　為高頻同步整流低壓轉化器優化設計的Power Clip 33 MOSFET

　　本節展示一個典型的電源系統的詳細分步設計，并展示因高操作頻率和高效率相結合而減小的板面積。

　　對于芯片組電源，選作目標工作條件的一個常見設計是 12 Vin，1.6 Vout和 25 Aout。 對于操作頻率，選擇了兩個點： 300 kHz 和 600 kHz。 輸入電容、輸出電容和輸出電感的元件尺寸都因較高的操作頻率而減小。

　　較高的操作頻率可改善瞬態響應，同時保持紋波不變，并減小電感和電容的元件大小。

　　表1展示操作頻率為 300 kHz 和 600 kHz 時的設計示例。 與 300 kHz 的分立式 MOSFET 設計相比，在 600 kHz 時使用 Power Clip 33 MOSFET 可讓設計人員節省 42% 的總 BOM 面積。

　　數據測量效率、功率損耗、溫度上升

　　在一個同步降壓轉換系統中，MOSFET 的額定電流基于若干因數的折衷：

　　a. MOSFET 的最大 TJ
　　b. 輸出功率
　　c. 效率
　　d. RΘJA 熱阻

　　通過封裝結構的顯著改進以及高級硅技術，Power Clip 33 MOSFET 封裝可在一個 3.3 x 3.3 mm 的占位面積中提供 20 A 解決方案。 為了評測 Power Clip 33 Dual MOSFET 的性能，我們測試了FDPC8011S和兩個備用的大尺寸設計，即一對分立式Mosfet HS Power 33 (FDMC8588) / LS Power 56 (FDMS8560S) 和 FDMS3624 Power 56 Dual MOSFET。圖11展示了封裝尺寸的發展。