基于超薄外延技術的雙擴散新型D-RESURF LDMOS設計
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2．2 漂移區濃度對擊穿電壓和導通電阻的影晌
當漏端電位從零開始增加到220V左右時，體內PN節耗盡區隨著電壓的增加而擴展，直到整個漂移區完全耗盡(此時體內PN節的峰值電場遠遠小于擊穿電場的最小值)，電壓繼續增大過程中，器件表面的P-top、N-結與器件體內的N-、P-sub結的電場峰值在隨之上升，在N型漂移區總的注入劑量不變的情況下，HNV注入劑量的增加會使LDMOS表面電場的擊穿點的由漏端向P-top的源端方向轉移。表現為HNV注入劑量為1．1E 12cm-2～1．35E12cm-2時，N型漂移區濃度偏低，LDMOS的漂移區會在較低的漏源電壓下全部耗盡，電場在漏區集中，導致器件首先在漏區／N型漂移區處擊穿；N型漂移區表面雜質濃度的增加會使P-top完全耗盡的同時、表面電場的分布更加均勻，導通電阻趨于下降。當HNV注入繼續上升時，N型漂移區濃度偏高時，LDMOS的漂移區無法完全耗盡，電場在P-top降場層靠源區一側集中，器件同樣會過早擊穿。于此同時DNW的注入濃度在逐步下降，使得整體漂移區比導通電阻會逐漸增加。因此必須折中考慮N型漂移區濃度對器件擊穿電壓和比導通電阻的影響。
TSUPREM4和MEDICI模擬仿真漂移區濃度分布，當漂移區總注入劑量在2．4E12cm-2～2．7E12cm-2范圍內，HNV保持注入劑量在1．1E12cm-2～1．8E12cm-2變化時，器件擊穿電壓大于700V。考慮到工藝誤差等因素，選取漂移區總注入劑量分別為2．5E12cm-2和2．6E12cm-2，HNV注入劑量由1．1E12cm-2～1．8E12cm-2變化時，觀察分析擊穿電壓BV與導通電阻Ron變化情況如圖6、7所示。本文引用地址：http://www.j9360.com/article/166181.htm
觀察HVN注入劑量與擊穿電壓BV和導通電阻Ron的關系圖，當HNV注入劑量由1．1E12cm-2增加時，器件表面濃度得到改善，使擊穿電壓上升，同時導通電阻也在相應減小，隨著濃度的增加，器件漂移區濃度分布趨于最優化。當HNV注入劑量超過1．5E12cm-2繼續增加時，漂移區表面濃度過剩，器件此時擊穿發生降場層附近。表現為擊穿電壓逐漸降低，與此同時，漂移區DNW的注入隨著HNV的增加而逐漸降低，器件漂移區上下濃度分布失衡，導致器件的導通電阻增大。因此，流片時選取HNV注入劑量為1．3E12cm-2～1．5E12cm-2時，DNW注入劑量為1．1E12 cm-2～1．3E12cm-2。此時對應仿真結果導通電阻小于35Ω·cm2，擊穿電壓BV大于714V。
3 結束語
本文對一種基于超薄外延技術的雙阱LDMOS進行設計研究，該新型器件采用了D-RESURF，橫向變摻雜(VLD)，雙阱注入漂移區等技術。通
過對漂移區表面降場層的幾何尺寸和注入濃度的仿真優化，改善了器件表面電場的耐壓特性，同時在漂移區總注入劑量不變的情況下，研究了HNV注入濃度與擊穿電壓與導通電阻的關系，分析研究仿真結果，得出最佳濃度分布。根據這些仿真設計結果，對該型LDMOS進行投片驗證，其器件版圖如圖8所示。當P-top注入劑量為2．5E13cm-3，HNV注入劑量為1．3E12cm-2。DNW注入劑量為1．3E12cm-2時，測試器件結果表明LDMOS擊穿電壓可以達到690V，結果接近設計要求，實現了與中、低壓器件的良好工藝兼容。
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