極特先進科技公司(GT Advanced Technologies)(NASDAQ:GTAT)與Soitec(NYSE Euronext:SOI)日前宣布了一項開發及許可協議，根據該協議，GT將開發、生產和商業化大容量多晶圓HVPE系統。這一HVPE系統將用于生產LED或其他高增長行業(例如電力電子行業)所用襯底的優質GaN外延薄膜。與傳統的金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)工藝相比，HVPE系統可能帶來更高的增長率并改進材料特性，有望顯著降低工藝成本，同時提高設備性能。協議中規定的專利技術許可費的首期預付款已經開始支付，但是具體條款尚未對外披露。

　　Soitec Phoenix Labs(Soitec旗下的一家子公司)擁有獨家HVPE專利技術，包括有望降低輸送至HVPE反應器的前驅體成本的新穎且先進的源輸送系統。GT公司將利用上述HVPE專利技術來開發、生產和商業化HVPE系統。這一HVPE系統可實現GaN模板藍寶石襯底的規模化生產。HVPE系統預計將于2014年下半年上市。

　　Soitec Phoenix Labs副總裁兼總經理Chantal Arena表示：“我們已在GaN外延工藝開發方面傾注了六年多的時間，并且在HVPE技術方面也已取得了關鍵性突破。這一技術對生產高質量、低成本的藍寶石襯底的GaN薄膜至關重要。今天，我們和GT公司共同宣布的開發和許可協議是這項工作的終極證明，同時這項協議是建立在去年我們與Silian共同公布的協議基礎之上，其時協議的目的旨在將基于HVPE的技術集成入其藍寶石中。這使得Soitec能夠針對差異化的技術和產業合作伙伴提供包括材料和設備在內的不同層次的LED照明系統產品。Soitec Phoenix Labs在外延附生技術和GaN材料方面的精深專業技能， 將成為GT公司向市場提供革命性HVPE系統的關鍵性因素。”

　　GT 總裁兼首席執行官Tom Gutierrez表示：“GT公司在提供改變行業(如太陽能PV和LED)的創新設備方面擁有良好的成功記錄。隨著我們不斷拓展新的高價值技術以擴大業務范圍和向市場提供成功的解決方案，我們希望找擁有合適技術的合作伙伴，以與我們的設備業務形成互補。在經過廣泛的尋找之后，我們最終與Soitec簽訂了協議。在GaN工藝專有技術方面，Soitec Phoenix Labs帶來了高水平的專長和技術經驗。當HVPE系統上市時，我們相信新的HVPE系統將成為一個重要因素，能夠進一步降低LED設備成本并幫助推動行業形成更強的競爭力和更大的增長。”