普渡大學Birck納米技術中心的研究人員正在開發有望替代硅的新型半導體二維材料。 硅芯片的制造工藝正逼近其物理極限，為了滿足摩爾定律的增長要求，必須要尋找新的材料去替代硅。普渡研究員Saptarshi Das說，他不認為硅能被單一的材料替代，但不同的材料可能能以混合的方式共存。

　　到目前為止，硅的替代材料包括了石墨烯(二維碳原子層)、二硫化鉬 (MoS2)和Germanane(單原子層鍺)。石墨烯的內在缺陷是能隙太小不適合用作晶體管，而MoS2和Germanane相對于石墨烯的優勢有內在的能隙。普渡大學的新材料則是基于MoS2。