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英飛凌推出新一代DrMOS器件DrBlade

作者: 時間:2013-03-27 來源:電子產品世界 收藏

  科技股份公司 (FSE代碼:IFX/ OTCQX代碼:IFNNY)近日在2013應用電力電子會議暨展覽會(APEC)中宣布推出:全球第一款采用創新芯片封裝技術的集成式器件,它集成了DC/DC 驅動器及MOSFET VR功率級。包含最新一代低壓DC/DC驅動器技術及OptiMOS™ MOSFET器件。該MOSFET 技術擁有最低的單位面積導通阻抗及針對應用優化的品質因數,能達到最高的DC/DC調壓系統效率,適用于計算及電信應用,包括刀片服務器和機架服務器、PC主板、筆記本電腦和游戲機等。  

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/143600.htm
 

  全新Blade封裝技術

  創新的Blade封裝技術,采用芯片嵌入概念,使用電鍍制程取代標準的封裝制程,例如邦線、夾焊以及常見的模制技術。此外,芯片也以疊層薄片進行保護。其結果是大幅縮小封裝體積、降低封裝電阻及電感,同時還降低熱阻。

  低壓功率轉換產品資深總監Richard Kuncic表示:“英飛凌是業界第一家推出采用Blade技術的集成了驅動器及MOSFET半橋的半導體公司。的推出可提升服務器應用在全負載范圍的效率,再度證明我們在功率半導體領域的領導地位。”

  節省空間,提高效率

  DrBlade封裝面積為5x5mm,高度僅為0.5mm,可滿足計算系統對于更高功率密度及節省空間的需求。DrBlade擁有優化的引腳規劃,可簡化PCB布局。采用全新的芯片封裝技術,再結合英飛凌的OptiMOS MOSFET,這使DrBlade成為低壓市場的最佳穩壓解決方案。

  上市時間與定價

  DrBlade樣品已開始提供,并于2013年第二季度量產。

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