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Molecular Imprints 將為半導體大批量制造提供先進光刻設備

—— 這項技術具備先進半導體存儲設備大批量生產(chǎn)所需的性能
作者: 時間:2012-09-25 來源:新浪網(wǎng) 收藏

  得克薩斯州奧斯汀2012年9月24日電 /美通社/ -- 納米圖案成形系統(tǒng)與解決方案的市場與技術領導商Molecular Imprints, Inc. (MII) 今天宣布,該公司已經(jīng)獲得一份包含多個壓印模板的采購訂單。這些模板將被整合進某設備公司的機中,包括 MII 專有的最新 Jet and Flash 壓印 (J-FIL) 技術,這項技術具備先進存儲設備大批量生產(chǎn)所需的性能。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/137223.htm

  Molecular Imprints, Inc.獲得一份包含多個壓印模板的采購訂單。這些模板將被整合進某設備公司的機中,包括MII專有的最新壓印光刻技術,這項技術具備先進半導體存儲設備大批量生產(chǎn)所需的性能。

  Molecular Imprints 總裁兼首席執(zhí)行官 Mark Melliar-Smith 表示:“這份多模板訂單是我們的客戶為 J-FIL在生產(chǎn)前最后準備階段的使用所投上的信任的一票。我們的設備和商用面具合作伙伴與內部團隊已經(jīng)對開發(fā)活動進行了成功協(xié)調,并在去年取得了巨大的進步,特別是在減少不合格和降低整體擁有成本 (CoO) 方面有了很大的改善。我們期待著J-FIL 技術下一步的商業(yè)化進程,希望能為這個半導體存儲器接下來幾年的發(fā)展提供支持。”

  該公司的 J-FIL™ 技術已經(jīng)展示了24納米圖案結構,其刻線邊緣粗糙度小于2納米(3西格瑪),臨界尺寸均勻性為1.2納米(3西格瑪),可擴展至10納米,使用的是簡單的單一圖案工藝。J-FIL 避免了功率受限的遠紫外線 (EUV) 光源、復雜的光學透鏡和鏡面以及利用超靈敏光致抗蝕劑讓圖案成形的難度,這些固有的擁有成本優(yōu)勢使其非常適合用于半導體存儲器的制造。

 



關鍵詞: 半導體 光刻

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