應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)宣布，治療高血壓用專有有源植入技術的市場領先開發商CVRx正在使用安森美半導體的技術及制造服務。CVRx最近在歐洲推出第二代植入式降血壓用壓力感受器刺激設備——Barostim neo。

　　安森美半導體在設計及制造適合寬廣醫療應用的模擬、數字及混合信號半導體方案方面積累的豐富經驗，幫助CVRx在繁多的預生產測試中提供所要求的可靠性及器件性能。此外，CVRx使用安森美半導體的設計套件、知識產權(IP)以及布線和代工服務，壓縮了開發周期。

　　CVRx的Barostim neo包含3款安森美半導體器件，其中2款是定制專用集成電路(ASIC)，包括一款高壓模擬C5工藝器件，及另一款使用安森美半導體I3T工藝制造、支持數字集成、結合了混合模擬及智能電源高壓結構的數字控制ASIC。小巧的Barostim neo設備中包含的第3款安森美半導體器件是8兆比特(Mb)醫療存儲器專用標準產品(ASSP)。3款器件均提供低能耗工作，以延長電池工作壽命，這要求對植入醫療設備殊為關鍵。

　　CVRx, Inc.研發及運營副總裁Joe DuPay說：“我們選擇安森美半導體來開發我們最新植入式高血壓治療設備有多重優勢。通過結合我們的核心專知及技術與安森美半導體在要求嚴格的醫療半導體市場的專知、經驗與產品長期支援，我們縮短了產品開發周期，同時設定了極低能耗及可靠設計的最高標準。”