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10項TFTLCD制程技術將改變液晶面板業

作者: 時間:2011-12-26 來源:半導體制造 收藏

  DisplaySearch正式發行全球首份完整解析TFT LCD最新制程技術的DisplaySearch TFT LCD制程技術藍圖趨勢報告(TFT LCD Process Roadmap Report)。該份報告結合DisplaySearch日本、韓國、臺灣的所有TFT LCD分析師針對2012年將會影響面板產業的十大重要制程技術進行全面性的介紹與分析,是一份業界最為完整的技術報告。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/127445.htm

  目前面板產業面臨獲利與市場成長瓶頸,面板廠、設備廠商、材料廠商不斷地在制程與產品技術上進行改良,并朝兩大方向進行--針對有成長潛力的應用提升面板的附加價值,針對成熟的應用不斷降低成本。十大重要制程技術的發展,包含LTPS(低溫多晶硅)、IGZO(金屬氧化物半導體)、Optical Alignment (光配向)、Advanced Resolution Exposure (高分辨率曝光)、 Advanced LC Mode (新液晶配方)、SHA (高開口率)、Low Resistance Metalization (低阻抗性金屬材料)、COA (Color Filter On Array)、Thin Mother Glass (薄玻璃基板)、BM Width Reduction (黑色矩陣寬幅縮減)等等,將會為2012年及以后的面板產業帶來巨大的變化。DisplaySearch在DisplaySearch TFT LCD制程技術藍圖趨勢報告(TFT LCD Process Roadmap Report)中針對這十大趨勢中各個技術的發展現況與展望、各家面板廠的進度與預測、以及對未來發展的關鍵提供全面的詳細的分析。

  另外, DisplaySearch在該報告中指出, 智能手機和平板電腦爆發式成長,使得LTPS(low temperature polysilicon低溫多晶硅技術)和IGZO(indium gallium zinc oxide組成的非結晶氧化物半導體技術)等生產高分辨率顯示器技術更為重要。這些TFT技術采用高移動速率半導體材料以減小TFT維度,提高光穿透率。分辨率超過每英寸230像素(230 PPI)的,如蘋果的Retina Display,高光穿透率可以使能耗降到最低,使可攜式設備可長時間使用而不用充電。

  根據NPD DisplaySearch TFT LCD制程技術藍圖趨勢報告(TFT LCD Process Roadmap Report)指出,2012年高遷移率TFT-LCD背板產量預計將提高150%,從2011年的560萬平方米迅速發展到1千410萬平方米。如此高成長的驅動力主要在于許多五代線和更大的低溫多晶硅(LTPS)產線于2012年開始投入生產,且夏普、樂金顯示和三星現有的產線也投入生產金屬氧化物(IGZO)。

  “智能手機、平板電腦和成本降低將成為2012年平板顯示產業快速發展的關鍵驅動力。”NPD DisplaySearch制造領域研究副總Charles Annis表示,“由于平板顯示獲利壓力大,面板廠商轉而投入快速發展的可攜式應用,并積極尋求各種可降低成本的策略。因此,高遷移率背板、光配向(optical alignment)、高分辨率曝光技術(high resolution lithography)和先進的液晶模塊組合預計將在明年成為最重要的生產技術。”

  所有的技術都在于如何提高面板的光穿透率。一般而言只有4-9%的背光能夠穿過到前端顯示屏,為達亮度指標會因此要求高強度的光源;另外,背光模塊是大尺寸液晶模塊中成本占比較高的單一組件。因此,通過提高光穿透率,面板商就可以降低能耗和成本。

  “廠商們期待真正好的新技術是能夠提高光穿透率同時不降低良率。面板商和其供貨商都在努力開發生產技術,力爭取得競爭優勢以提高2012年利潤。”Annis補充到,“目前看來,像金屬氧化物(IGZO)這樣的技術,一方面可提高面板性能一方面可降低成本,將使面板商獲取高度競爭優勢,將有機會成為未來平板顯示產業制造新標準。”

  NPD DisplaySearch新出版TFT LCD制程技術藍圖趨勢報告(TFT LCD Process Roadmap Report),報告針對FPD新進生產技術做了獨到且深入的分析。報告按制造工藝流程進行技術探討,分析工序流程和制造商采用新技術現狀,對57種生產技術未來的應用進行預測并分析相應的優點、機會與挑戰等。同時報告對目前到2016年液晶顯示器的性能指針也做了分析預測。



關鍵詞: TFTLCD 液晶面板

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