英飛凌科技(Infineon Technologies)宣布已于奧地利菲拉赫(Villach)據點生產出首款 300mm (12寸)薄晶圓之功率半導體芯片(first silicon)，成為全球首家進一步成功采用此技術的公司。采用300mm薄晶圓生產之芯片的功能特性，與以200mm晶圓制造之功率半導體相同，已成功通過在高壓應用產品中使用金氧半導體場效電晶體(MOSFET)的應用測試證明。

　　在電晶體發明 55 年之后，英飛凌以革命性 CoolMOS 電晶體技術，榮獲 2002 年德國工業創新大獎 (German Industry’s Innovation Award)。高壓電晶體，已在眾多應用領域提升能源效率，如 PC 電源供應器、伺服器、太陽能電源轉換器、照明與電信系統。這些節能晶片目前也是消費性電子裝置的必要元件，如平面電視和游樂器。使用能源、節約能源且不失效率，已成為所有用電產業與家庭應用的首要需求。英飛凌的節能半導體解決方案，可節省高達 25% 的全球電力消耗。

　　2010 年 10 月，英飛凌已在奧地利菲拉赫著手設立 300 mm晶圓及薄晶圓技術的功率半導體前導生產線。目前該團隊擁有 50 名工程師和物理學家，來自研究、開發、制造技術及市場行銷等各個領域。首顆 300 mm 下線晶片，是英飛凌持續成功制造節能產品專用之功率半導體的推手。根據 IMS Research 于今年 8 月提出的研究報告，英飛凌在 2010 年仍位居全球功率半導體市場龍頭，并已連續第 8 年獲此殊榮。