美系存儲器大廠美光(Micron)2010年全球NAND Flash市占率大躍進，已擠下海力士(Hynix)坐穩全球三哥寶座，在擴產速度上，美光在2011年也不會缺席，與英特爾(Intel)合資的新加坡廠也將在2011年第2季開始投產，對于三星電子(Samsung Electronics)和東芝(Toshiba)2011年也有擴產計畫，美光表示不擔心供過于求，在產能增加的同時，平板計算機等應用也大幅崛起，預計2011年NAND Flash市場供需可維持健康的狀態。

　　美光近來年陸續在34奈米和25奈米技術世代上，都接連領先三星和東芝，在全球NAND Flash技術地位上大幅提升，加上與英特爾合資建廠，也使得全球NAND Flash市占率增加，2010年第3季達10%。

　　展望2011年NAND Flash市場概況，三星和東芝都有擴產的計畫，三星興建的Line-16新廠房預計將以NAND Flash產品為主，東芝與快閃記憶卡龍頭大廠新帝(SanDisk)合資興建的Fab 5，也預計在2011年投產。

　　面對三星和東芝對于擴產NAND Flash產能來勢洶洶，美光在新加坡的新廠也將于2011年加入投產，預計此廠房的產能規模約10萬片，預計2011年底前先完成50%機器設備裝置。

　　面對2011年NAND Flash產能大幅增加，美光表示，其實在終端應用上，也同步在往上，包括平板計算機、固態硬碟(SSD)、智能型手機等對于NAND Flash需求量都大增，預期2011年的NAND Flash市場供需將是健康穩定成長。

　　再者，美光除了制程技術持續領先外，美光在產品技術上，也一直緊抓市場脈動包括eMMC解決方案之外，也領先推出ClearNAND產品，將ECC除錯機制(Error Correcting Code)功能包裹在芯片之內，預計未來可搶占平板計算機商機。

　　面對NAND Flash技術在25奈米以下離瓶頸期越來越近，美光也持續開發下世代快閃存儲器技術，在購并恒憶(Numonyx)之后，也獲得相變化存儲器(Phase-Change Memory;PCM)技術和專利，美光看好PCM可以取代NAND Flash和DRAM技術，這會是美光未來布局的重點之一。

　　再者，美光指出，新存儲器技術包括Cross Point Memory和3D技術等，也都是未來布局的一環。