a一级爱做片免费观看欧美,久久国产一区二区,日本一二三区免费,久草视频手机在线观看

新聞中心

EEPW首頁 > EDA/PCB > 業界動態 > 次世代微影技術主流之爭 

次世代微影技術主流之爭 

—— EUV可望2014年進入量產
作者: 時間:2010-10-26 來源:DigiTimes 收藏

  目前次世代發展仍尚未有主流出現,而身為深紫外光 ()陣營主要推手之一的比利時微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出,技術最快于2014年可望進入量產,而應用存儲器制程又將早于邏輯制程,他也指出,無光罩多重電子束恐怕來不及進入量產。

本文引用地址:http://www.j9360.com/article/113866.htm

  目前次世代主要包括深紫外光、無光罩多重電子及浸潤式微影多重曝光技術,然由于各種技術成本相對上都還高,發展也尚未成熟,因此次世代尚未有明顯的主流。

  IMEC 在納米電子上向來具有先端研究技術,同時也與設備大廠愛司摩爾(ASML)進行多年的技術研發,也為EUV陣營的主要代表之一。不過目前EUV技術最為人所詬病的在于EUV機臺、光罩與外圍材料設備都造價高昂,恐怕沒有幾家晶圓廠能夠負擔,即便制程順利開發成功,也少有客戶有能力采用。

  因此目前臺積電也極力投入無光罩多重電子束制程開發,由于該制程不需要光罩,且設備造價也不若EUV機臺來的高昂,也提供了EUV之外的另一個選擇。更重要的是,讓過去幾年聲勢浩大的EUV,能夠有抗衡的對象。

  Luc Van den hove指出,IMEC向來專注投入EUV技術研發,即便EUV技術在光罩及光阻等多面向上,仍有待改進,不過成熟度高,發展時間也較久,未來幾年成本也將會下滑,適合于大量生產。他預估,2014年EUV技術將具有成本效益,開始進入量產,首先會采用EUV制程的應是存儲器廠商,用于20納米制程,至于邏輯制程則會較晚,預計將用于16納米制程。

  Luc Van den hove也表示,半導體業界的確需要EUV外有別的選擇方案,不過電子束過去一段時間投入的研發資源不夠,開發尚未成熟,尤其不適合用于存儲器制程,只適合用于小量生產,恐怕也趕不上業界量產的時程。

  在 EUV陣營方面,ASML日前宣布,首臺EUV機臺已于本月正式出貨,預計到2011年中為止,還有5臺將陸續出貨。同時,ASML也正在著手研發第3代 EUV機臺NEX:3300,目前已有8套訂單,將于2012年開始出貨。因此業界對于未來1年EUV機臺進廠后的成果也十分關注,將是次世代微影技術發展的重要里程碑。



關鍵詞: 微影技術 EUV

評論


技術專區

關閉