美國應用材料公司今天宣布了其突破性的Applied Producer Eterna FCVD(流體化學氣相沉積)系統。這是首創的也是唯一的以高質量介電薄膜隔離20納米及以下存儲器和邏輯器件中的高密度晶體管的薄膜沉積技術。這些隔離區域可以形成深寬比大于30(是當今需求的5倍)和高度復雜的形貌。Eterna FCVD系統的獨特工藝能夠以致密且無碳的介電薄膜從底部填充所有這些區域，并且其成本僅是綜合旋轉方式的一半左右，后者需要更多的設備和很多額外的工藝步驟。

　　應用材料公司副總裁、電介質系統組件和化學機械拋光事業部總經理比爾.麥克林托克先生表示：“在先進芯片設計中要填充更小和更深結構的需求對于現有沉積技術形成了實質性的壁壘。應用材料公司今天通過推出全新的Eterna FCVD系統打破了這一壁壘，提供了突破性的技術，使得摩爾定律可以繼續取得進展。應用材料公司以Eterna FCVD系統延續了十年來在溝槽填充技術領域的領導地位，為客戶應對多個新芯片世代的挑戰提供了獨特、簡化和具有成本效益的解決方案。”

　　應用材料公司專有的Eterna FCVD工藝形成了一個可以自由流入任何形狀結構的液體狀薄膜，提供從底部向上的無空缺填充。Eterna FCVD系統已經被安裝在6個客戶的生產廠內，它們被整合在應用材料公司的基準Producer主機平臺上，用于DRAM、閃存和邏輯芯片的應用。