Applied Materials公司近日宣布開發出了一種新的化學氣相淀積(CVD)技術，這種技術能為20nm及更高等級制程的存儲/邏輯電路用晶體管淀積高質量的 隔離層結構。據Applied Materials公司宣稱，這些隔離結構的深寬比可超過30：1，比目前工藝對隔離結構的要求高出5倍左右。

　　這項技術使用了Applied Materials公司名為Eterna流動式化學氣相沉積系統(Flowable CVD:FCVD)的技術專利，淀積層材料可以在液體形態下自由流動到需要填充的各種形狀的結構中，填充形式為自底向上，而且填充結構中不會產生空隙。

　　Applied Materials公司還宣稱目前采用了Eterna FCVD技術的化學氣相淀積設備已經在六家客戶公司內開始裝機，這些客戶包括內存，閃存以及邏輯芯片廠商。

　　化學氣相淀積(CVD)是通過氣體混合的化學反應在硅片表面淀積一層固體膜的工藝，可用來淀積各種氧化物，氮化物，多晶硅以及金屬導體膜。