新式半導體光刻技術中，極紫外光刻(EUV)被認為是最有前途的方法之一，不過其實現難度也相當高，從上世紀八十年代開始探尋至今已經將近三十年， 仍然未能投入實用。極紫外光刻面臨的關鍵挑戰之一就是尋找合適的光刻膠(photoresist)，也就是用來在芯片層表面光刻出特定圖案的材料。它必須對極紫外輻射 非常敏感，這樣才能刻出圖案，但同時又必須能夠抵御隨后的蝕刻和其他處理步驟。

　　Intel公司內部一直在用微曝光設備(MET)對各種不同材料進行試驗和評估，目的就是尋找一種能夠同時滿足高敏感度、高分辨率、低線寬粗糙度 (LWR)的光刻膠材料，最近終于取得了重大突破。

　　在國際光學工程學會(SPIE)舉行的光刻大會上，Intel就進行了這方面的展示，使用一種正型化學放大光刻膠(CAR)結合極紫 外底層，以及一種相應的漂洗劑，最終達成了22nm半節距(half pitch)分辨率，并滿足敏感度和LWR要求。

　　Intel據此驕傲地宣布，經過數十年的不懈努力，極紫外光刻技術已經從研究層面邁向實用，當然了，真正商用仍 尚需時日。

　　藍色部分即代表光刻膠