日前，韓國教育科學技術部表示，由韓國國內研究組將第二代照明光源的InGaN 青色LED的發光效率最高增加了30%以上的源泉技術開發成功。

　　此次開發的技術與原有的LED相比，不會低減電器的特征，依靠鋅氧粉納米桿的光導波路現象，增加30%以上的發光效率。光州科技院的鄭建永教授表示：“此次研究結果從材料費或工程費側面比較簡單地將光導波管作用的鋅氧粉(ZnO)桿在低溫下，不會為LED電極構造帶來影響的同時使之生長，是將發光效率跨越性提高的源泉技術，今后的研究等與納米技術融合的話，2015年的1,100億美金的利益效果與世界LED照明市場的先占將成為可能”。