上海宏力半導體制造有限公司 (宏力半導體)，專注于差異化技術的半導體制造業領先企業之一，發布基于其穩定的0.18微米邏輯平臺的先進45V LDMOS電源管理制程。

　　與傳統線寬相比，0.18微米邏輯平臺使得更高集成度的數字電路成為可能，從而可以適用于SoC和智能電源。宏力半導體成熟的0.18微米邏輯制程配備了具有高精準模型的完整設計工具包，極大地縮短了產品的設計周期，加速客戶產品的投產。此外，該0.18微米邏輯制程還分別提供了通用邏輯和低功耗邏輯平臺供客戶選擇。

　　通過優化器件的布局、注入和熱處理過程等特定步驟減小了Rdson (導通電阻)，45V NMOS 和 PMOS的導通電阻分別約為70 mOhm•mm2 和 160 mOhm•mm2。導通電阻的減小可以使電源芯片功率驅動部分的面積縮減10%~40%，客戶因此可以為電源管理應用提供更加有效的解決方案。

　　除此以外，模塊化制程也更加靈活。1.8V的器件可以易于添加或者移除，可適用于客戶的特殊要求。除了標準的5V器件外，根據客戶的特定設計，3.3V也可以用來備選。其他諸如MiM，HR和Bipolar等器件也可供客戶選擇。

　　銷售市場及服務資深副總裁衛彼得博士說：“宏力半導體最新發布的45V LDMOS是一個高性能的制程，可以為客戶提供一個低成本的解決方案，縮短產品上市時間。這個技術平臺針對目前快速發展的電源管理芯片市場，適用于尖端的LED驅動、馬達控制和電池管理。宏力半導體在汽車電子芯片領域已經積累了多年的生產經驗，我們相信這個先進的新制程也能夠滿足汽車電子嚴苛的要求。”