近日，ASML發布最新三季度財報后，股價創26年來最大跌幅引起市場極大關注。在此期間，尼康和佳能陸續發布的光刻機研發最新進展也引起行業聚焦。

全球光刻機行業領導者ASML近期發布了其三季度財報和四季度財報指引，并下調了2025財年的業績預期。由于國際形勢和半導體產業需求的抑制，ASML在美國上市的股票遭受了26年來的最大跌幅，當日股價下跌16%。

具體財報而言，ASML三季度實現營收75億歐元，毛利率達50.8%，凈利潤達21億歐元。這主要得益于DUV光刻系統銷售額和裝機管理銷售額的增加。但同時，ASML新增訂單金額達26億歐元，比市場預期的54億歐元減少近一半。

市場對High NA EUV光刻機的走向保持高度關注。據路透社近日披露消息，三星因在美國得克薩斯州的工廠未能吸引大客戶，推遲了接收ASML生產的光刻機。同時，三星也推遲了向其他一些供應商下訂單，致使這些供應商不得不另覓客戶。

三星在今年4月表示，其德州工廠將于2026年開始生產，而非原定的2024年。三星電子會長李在镕本月早些時候公開表示，這家工廠面臨挑戰。三星電子推遲收貨行為也影響著阿斯麥業績。阿斯麥提供的數據顯示，在韓銷售額今年三季度環比下滑三分之一至8.89億歐元。

英特爾和臺積電方面，近期ASML新任首席執行官傅恪禮Christophe Fouquet透露，英特爾的第二臺High NA EUV光刻機已經順利完成組裝，而臺積電的首臺High NA EUV光刻機預計最快在今年年底完成交貨。

對于四季度和明年發展預計，Christophe Fouquet在聲明中表示，盡管人工智能領域展現出強勁的發展勢頭，但半導體市場的復蘇進程比預期緩慢，預計這一趨勢將持續到2025年。傅恪禮還提到，由于晶圓代工廠之間的競爭態勢，部分客戶的新技術節點發展態勢放緩，影響了對光刻設備的需求時間節點，尤其是在EUV光刻機方面。而在存儲芯片領域，新增產能有限，發展重點依然是技術轉型，以滿足對人工智能相關的高帶寬內存(HBM)和第五代雙倍數據速率隨機存取存儲器(DDR5)的需求。

在光刻機市場競爭中，佳能的策略是專注于KrF和i-line，而不涉及EUV和ArF等尖端產品，這種策略非常有效。這是因為，在半導體制造中，無論多么尖端，都不能僅靠EUV制造，而是統一使用ArF浸潤式、ArF干式、KrF和i-line。
近期日本佳能宣布，成功交付佳能最先進的納米壓印光刻NIL系統FPA-1200NZ2C。據悉，佳能的FPA-1200NZ2C系統可實現最小14nm線寬的圖案化，支持5nm制程邏輯半導體生產。

公開資料顯示，納米壓印與光刻是兩種不同的技術路線。兩者的目標相同，簡單描述就是將設計好的集成電路圖“復制粘貼”到硅片上。而實現方法卻大有不同，形象地比喻類似“照相”與“蓋印章”。

傳統的光刻機通過將電路圖案投影到涂有光刻膠的晶圓上來轉移電路圖案，佳能的設備則是通過將“印有電路圖案的掩模像印章一樣壓入晶圓上的光刻膠中”來生產芯片。由于電路圖案的轉移不需要通過光學機制，掩模上的精細電路圖案可以在晶圓上如實再現。

佳能表示，相較于傳統光刻機需要復雜的光學鏡片構造，納米壓印設備的構造更為簡單，功耗僅需十分之一。同時還能通過單次壓印形成復雜的三維電路圖案，能夠處理用于最先進邏輯芯片的極細電路。

據悉，這次交付的首臺設備將被送往美國得克薩斯電子研究所。該研究所是得克薩斯大學奧斯汀分校支持的一個團體組織，成員包括英特爾和其他芯片公司、公共部門和學術組織，這臺設備將被用于芯片制造的研究與開發工作。佳能光學產品副首席執行官Kazunori Iwamoto對媒體表示，公司計劃在未來3-5年內，每年銷售10-20臺此類設備。

就在該消息公布的三天之前，佳能還發布了新型半導體曝光設備FPA-3030i6，這是一款配備新開發投影鏡頭的i-line步進機。新產品FPA-3030i6是面向8英寸（200mm）以下小尺寸基板的半導體曝光設備。該設備通過采用新開發的高透過率和高耐久性投影鏡頭，既能抑制高照度曝光下產生的像差，又能縮短曝光時間，從而提高生產力。此外，代表鏡頭分辨率的NA（數值孔徑）范圍擴大、對應特殊基板的搬送系統等，有多項option（有償）可供選擇，從而滿足多種半導體器件（如功率器件和綠能器件）的制造需求。

而尼康依舊想在ArF浸潤式和ArF干法領域有所收獲。據悉，尼康計劃在2026財年之前陸續推出三款半導體光刻機，進一步通過增加氟化氬（ArF）干式、氟化氪（KrF）以及i線三種波長的光刻機，擴展產品線并追趕競爭對手。

10月22日尼康宣布，公司正在研發一款面向半導體先進封裝工藝應用、“兼具高分辨率及高生產性能”的1.0微米（即1000納米）分辨率數字光刻機，該設備預計在尼康2026財年內發售。

尼康表示，隨著數據中心AI芯片用量的不斷提升，在以Chiplet芯粒技術為代表的先進封裝領域出現了對基于玻璃面板的PLP封裝技術日益增長的需求，分辨率高且曝光面積大的后端光刻機也愈發不可或缺。尼康正在研發的后端數字光刻機，將半導體光刻機代表性的高分辨率技術同顯示產業所用FPD曝光設備的多透鏡組技術相融合。其曝光過程無需使用掩膜，而是利用SLM（空間光調制器）來生成所設計的電路圖案，從光源發出的光經SLM反射后通過透鏡光學組，最終在基板上成像。據悉，新設備相較于傳統的有掩膜工藝可同時削減后端工藝的成本和用時。

尼康近兩年不斷加強研發，加速迭代其光刻設備。今年1月，尼康正式發布ArF浸沒式光刻機NSR-S636E，這種光刻機使用氟化氬激光器來生產芯片。

尼康稱，作為半導體生產過程中關鍵層的曝光系統，NSR-S636E具有尼康歷史上更高的生產效率，并具有高水準的套刻精度和生產速度，可為尖端半導體器件中的3D等器件結構多樣化的挑戰提供解決方案。NSR-S636EArF浸沒式曝光機采用增強型iAS，該創新系統可利用在高精度測量和廣泛的晶圓翹曲和畸變校正功能上，達成了高重疊精度（MMO≤2.1nm）。曝光面積為26毫米×33毫米，生產速度則是增加到每小時280片，加上減少停機時間，使得其與當前型號相比，整體生產率提高了10~15%，已達到尼康光刻設備中最高的生產效率。