在近期的中國國際電視臺（CGTN）專訪中，中國半導體行業協會理事長、長江存儲董事長陳南翔就中國半導體產業的現狀與未來展開了深入的討論。以下是對話的主要內容整理：

陳南翔指出，盡管中國芯片產業尚未實現爆炸式增長，但這一天終將到來。他預測，在摩爾定律不再奏效的同時，中國將受益于新的封裝技術。憑借在應用和封裝技術方面的優勢，中國的芯片產業將在3至5年內實現“爆炸式增長”，為中國克服美國的技術限制開辟道路。

在談到中國芯片產業能否追趕上西方時，陳南翔表示，中國的機會在于市場和消費者在應用上的創新。他提出，由于摩爾定律等技術路徑依賴的消失，中國應該采取應用驅動的發展模式，利用中國市場的獨特優勢，推動半導體產業的發展。

“因為現在是一個應用為王的時代，此外以前大家注重的都是晶圓制造技術，而在當下還需要最新的封裝技術的加持。比如當前火熱的AI芯片都是需要最先進的晶圓制造技術和最先進的封裝技術的。”陳南翔說。

陳南翔回顧了中國在發展集成電路過程中走過的彎路，本質上中國想要發展的是一種（芯片）產業，但是在過去，這一事情是交給大學、研究院、科學院來做，他們把這一研究做的更學術性，而中國現在需要的是一種產業，需要創新的產業、創新的服務以及創新的商業模式，從而轉變為最經濟的商業價值，這是兩種完全不同的路徑。

他強調了從學術性研究轉向產業創新、服務和商業模式的必要性，認為中國現在需要的是一種能夠轉化為經濟商業價值的產業模式。經過長時間的摸索，中國已經明白了什么樣的發展模式是注定要失敗的，并正在探索一種新的市場驅動型產業模式。

談及封裝技術的重要性，陳南翔認為，當前三星、英特爾、臺積電等公司在3納米等技術節點上的定義各不相同，缺乏統一標準。“以前摩爾定律有效的時候，在每一個節點上，大家都知道三年后如何發展、六年以后如何發展。但是在當下再問大家這一節點在三年乃至六年后如何發展，大家很難說清楚。”

在當前應用為王的時代，陳南翔認為，封裝技術將成為關鍵，其重要性或將超越晶圓制造技術。這種技術態勢的轉變對中國而言是一個巨大利好，為中國實現“彎道超車”提供了機會。

陳南翔坦言，半導體產業正面臨全國人民的期待，這增加了行業的曝光度和對人才的吸引力。同時，他也提到了來自媒體和公眾的壓力，希望公眾能夠理性、耐心地看待國內半導體行業的發展，“這是一場馬拉松而非短跑競賽，希望大家給予足夠的時間和空間，讓產業能夠扎實地構建基礎，才能展現其實力。”

他同時提到了長江存儲在面對美國制裁時的困境。在去年10月當選為中國半導體行業協會理事長后，陳南翔就呼吁業界同舟共濟，攜手應對來自美國的科技制裁。他表示，一些國家出于地緣政治考量，已經破壞了芯片半導體產業鏈的全球化體系，現在行業面臨巨大的不確定性，“再全球化”正在發生。

陳南翔認為，芯片產業鏈將進入“動蕩且無序”的時刻。不僅沖擊現有的全球供應鏈產業分工，甚至給產業發展模式帶來重大影響。 他提議，如果中國企業依法合規買到的設備不能交貨或者無法使用，廠家應該設定一個時間回購設備，“我想做個呼吁，去建設你們的誠信，體現于你們的公平原則。就長江存儲來講，依法合規買回來的設備連零件也拿不到。如果是公平的話，應該會設一個時間，把設備在新的條件下回購，這樣才公平。” 

此外，陳南翔還提到了長江存儲對美光提起的專利侵權訴訟，指控這家美國公司侵犯了其11項專利，涉及3D NAND的各個方面。長江存儲請求法院下令，要求美光停止在美國銷售其閃存，并向其支付專利使用費。 

長江存儲表示，美光的96層（B27A）、128層（B37R）、176層（B47R）和232層（B58R）3D NAND存儲器以及美光的部分DDR5 SDRAM產品（Y2BM系列）侵犯了其在美國提交的11項專利或專利申請，它們涵蓋了3D NAND和DRAM功能的基本方面。 

2022年底，美國商務部根據所謂的“證據”，以威脅其國家安全為由，將長江存儲列入了實體清單，使其不能從美國獲得128層及以上的3D NAND的晶圓制造設備和技術。 

這次起訴，并非長江存儲在美國的第一次“反擊”。2023年11月，長江存儲在美國加州北區地方法院，對美光及子公司美光消費類產品事業部提起訴訟，指控美光侵犯8項與3D NAND Flash相關的美國專利。 

關于陳南翔

陳南翔，今年62歲，于2021年5月加入國內存儲芯片企業“長江存儲”，出任長江存儲董事長、代理CEO。在此之前，陳南翔曾擔任紫光集團聯席總裁、華潤微電子常務副董事長等職務，在華潤集團工作18年，擁有電子科技大學半導體專業工學學士、航天711所大規模集成電路專業工學碩士、北京師范大學低能核物理研究所理學博士學位。