這篇文章被寫為關于pwm電機控制的第6節。然而，即使您不遵循其余的文章，它還是非常相關的。

之前有一篇文章，簡要說明如何在半橋PWM控制器中開關MOSFET。本文從這一點出發，給出了更多的細節，并討論了一些更好的點。

第一張圖是第一篇文章中的圖。第二個顯示柵極驅動波形（在驅動MOSFET上）和漏極上產生的pwm波形。當然，他們有些理想化了。

在A點，沒有低邊MOSFET柵極電壓-MOSFET關閉，所以它的漏極電壓很高。任何電機電流現在都在hiside MOSFET中循環。

在A點附近的某個柵極電壓下，損耗mosfet開始導通。可能有許多MOSFET并聯，它們可能并不完全平衡，因此有些可能會先于其他MOSFET啟動。這就是硅的正溫度系數有用的地方：任何提前開啟的MOSFET都會變得更熱，所以它的R打開（ds）增加，這往往會減慢它的啟動，平衡MOSFET之間的電流。

指2QD電路，MOSFET柵極電壓上升的速率（主要）由1K拉起到引腳14對兩個電容器（C10和C11）充電的速率控制。

從A到E的整個通電周期約為1μS。“緩慢”（在200nS內，從B到C的時間）MOSFET中的電流逐漸增大，直到MOSFET傳導整個電機電流。一直以來，這些低側MOSFET的傳導小于整個電機電流，其余的電機電流一定還在某處，它仍然在頂部MOSFET中循環。要想在頂部mosfet中流動，這必須是向前偏移的。

因此，在電流積累階段（B-C），驅動mosfet在它們之間有完整的電池電壓。因此，在MOSFET:V中，這是一個巨大的損耗期復寫的副本x一米/2（電源電壓乘以平均MOSFET電流）。

當飛輪MOSFET停止導電時，漏極電壓現在開始自由下降。但是現在另一個效應發生了：在MOSFET內部有一個“巨大”的電容，連接在柵極和漏極之間（Cgd公司). 當MOSFETs源極漏極電壓下降時，它必須放電，而且它只能通過吸收柵極驅動電流來實現。對于BUZ100S，這個Cgs公司通常引用為615 pF。以36V的電壓放電615pF，需要很大的電流。在這一點上，在C和D之間的柵極驅動波形中有一個明顯可見的“平臺”，大約為300nS。

有趣的是，如果柵極驅動電流是有限的（正如它必須的那樣），階地周期會延長。階躍期也是高損耗的，底部MOSFET承載著全電機電流，平均電壓為電池的一半。

由此看來，MOSFET開關應盡可能快地進行，以獲得最佳效率。不幸的是，還有其他的折衷，例如，如果你快速切換，你可能會期望一個高水平的輻射r.f.諧波干擾。

另外，如果你試圖把驅動MOSFET開得太快，你正試圖從頂部MOSFET快速移除飛輪電流-頂部MOSFET的柵極驅動已經關閉（希望如此），頂部MOSFET的體二極管將導通。現在MOSFET體二極管并不是二極管中最快的：BUZ100S的規格規定了最大160nS的關斷時間。如果你接近這個速率，底部的MOSFET現在不僅要傳導電機電流，還要在漏極電壓下降之前傳導頂部MOSFET的衰減關斷電流。

在E點，柵極波形達到最大值：MOSFET早已開啟。現在電機上的電池電壓已滿，電機電流將從現在開始增加，直到驅動mosfet關閉。當驅動mosfet關閉時，電機的電感使電流保持循環，電機電流略有衰減。如果電機的電感太小，那么在循環過程中，電流的“紋波”變得顯著，降低了電機的效率，正是這一點決定了最小工作頻率。有趣的是，對于任何一個商用電機來說，選擇20kHz左右的最小值就足夠了。

在F點，柵極電壓關閉。現在，如果你看2QD電路，可用于關閉的驅動器基極電流是LM339可以吸收的全部電流（通常為16mA）乘以PNP驅動器的增益。柵極電壓很快被移除，可能是400nS，是的，有一個可能是100nS的“后平臺”。

驅動MOSFET的關閉與它的開啟方式正好相反。這需要時間，而且，一旦它不再傳導全部電機電流，源飛輪達到全電源電壓，通過飛輪二極管/MOSFET將電機電流的平衡轉儲，因此還有另一對高損耗時間，最初MOSFET上的電壓升高，允許飛輪開始導通，然后Rds公司隨著驅動MOSFET中電流的衰減和頂部MOSFET以二極管模式導通而進一步降低。

只有當頂部的mosfet以二極管的形式傳導整個電機電流后，它們才能安全地變成電阻而不是二極管。

當然，在底部MOSFET開始傳導電流之前，必須移除頂部MOSFET柵極驅動器，或者在最壞的情況下（這實際上提供了最佳效率），可以在電流降到零時從頂部MOSFET移除柵極驅動器。

一個可以殺死MOSFET的東西是一個高能噪聲尖峰，到達錯誤的時間。電動機有電刷和換向器。換向器和碳刷裝置產生電弧，特別是在舊的和磨損的情況下，電弧是寬帶噪聲的良好來源。電機和控制器之間有電線。電線充當傳輸線。準確地說，在有限的時間內，電機產生的波形是正確的。如果真是這樣的話，據說MOSFET中的FET代表“火****晶體管”。

在MOSFET開關等方面可能會有更多的東西需要添加，但是前面的內容應該給讀者一個很好的理解。