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羅姆的第4代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器

發布人:12345zhi 時間:2022-12-28 來源:工程師 發布文章

從2025年起將向全球電動汽車供貨,助力延長續航里程和系統的小型化

全球知名半導體制造商羅姆(總部位于日本京都市)的第4代SiC MOSFET和柵極驅動器IC已被日本先進的汽車零部件制造商日立安斯泰莫株式會社(以下簡稱“日立安斯泰莫”)用于其純電動汽車(以下簡稱“EV”)的逆變器。

羅姆的第4代SiC MOSFET成功應用于日立安斯泰莫的純電動汽車逆變器

在全球實現無碳社會的努力中,汽車的電動化進程加速,在這種背景下,開發更高效、更小型、更輕量的電動動力總成系統已經成為必經之路。尤其是在EV領域,為了延長續航里程并減小車載電池的尺寸,提高發揮驅動核心作用的逆變器的效率已成為一個重要課題,業內對碳化硅功率元器件寄予厚望。

羅姆自2010年在全球率先開始量產SiC MOSFET以來,在SiC功率元器件技術開發方面,始終保持著業界先進地位。其中,新推出的第4代SiC MOSFET改善了短路耐受時間,并實現了業界超低的導通電阻。在車載逆變器中采用該產品時,與使用IGBT時相比,電耗可以減少6%(按國際標準“WLTC燃料消耗量測試”計算),非常有助于延長電動汽車的續航里程。

日立安斯泰莫多年來一直致力于汽車用電機和逆變器相關的先進技術開發,并且已經為日益普及的EV提供了大量的產品,在該領域擁有驕人的市場業績。此次,為了進一步提高逆變器的性能,日立安斯泰莫首次在主驅逆變器的電路中采用了SiC功率器件,并計劃從2025年起,依次向包括日本汽車制造商在內的全球汽車制造商供應相應的逆變器產品。

未來,羅姆將作為SiC功率元器件的領軍企業,不斷壯大產品陣容,并結合能夠更大限度地激發元器件性能的控制IC等外圍元器件技術優勢,持續提供有助于汽車技術創新的電源解決方案。

<關于日立安斯泰莫>

日立安斯泰莫通過由動力總成系統和安全系統業務、底盤業務、摩托車業務、軟件業務以及售后市場業務組成的戰略業務組合,致力于不斷增強業務和技術創新能力。公司秉承以“綠色”、“數字化”、“創新”為核心的發展目標,通過可以減少廢氣排放的高效內燃機系統和電動系統,助力改善地球環境,并通過自動駕駛、先進駕駛輔助系統以及先進底盤系統,助力提升出行的安全性和舒適性。通過提供先進的移動出行方案,為實現可持續發展的社會和提高客戶的企業價值做貢獻。

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