MOS管即MOSFET，又叫絕緣柵場效應管，是場效應管的一種類型。MOSFET又可分為N溝耗盡型和增強型；P溝耗盡型和增強型四大類。

IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由晶體三極管和MOS管組成的復合型半導體器件。IGBT的電路符號至今并未統一，畫原理圖時一般是借用三極管、MOS管的符號，這時可以從原理圖上標注的型號來判斷是IGBT還是MOS管。

這是MOS管和IGBT管的內部結構：

IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。

另外，MOS管和IGBT的選擇可以參考以下幾點：

MOS                          IBGT

切換功率大于100KHz           切換功率低于25KHz

輸入電壓低于250V             輸入電壓高于1000V

較小的輸出功率的場合         較大輸出功率的場合

                            電流變化較小的負載

總的來說，MOSFET優點是高頻特性好，工作頻率高，缺點是導通電阻大，在高壓大電流場合功耗較大；IGBT在低頻及較大功率場合下表現卓越，其導通電阻小，耐壓高。

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