- 習近平考察武漢，強調要充分發揮人才優勢
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- SEMICONTaiwan2016將于7日開幕，受惠臺積電持續投資先進制程，臺灣仍是蟬聯全球設備采購第一名，值得注意的是，大陸2016年大陸采購金額達44.38億美元，年增率高達68%，推測受惠聯電廈門廠、中芯國際北京廠、英特爾(Intel)大連廠、三星西安廠、武漢新芯五大半導體廠擴產所致。
根據SEMI估計，全球半導體設備采購金額約219.96億美元，年減2%，其中臺灣2016年的設備采購金額高達55.42億美元，年增率3.9%，主要是臺積電領先布局先進制程的貢獻。值得注意的是，大陸2016年
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- 近期盛傳紫光集團入股武漢新芯，雙方旗下存儲晶元項目有望合并，中國第一"芯"誕生。
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- 先前科技新報獨家揭露，統籌中國存儲器產業發展的武漢新芯將與紫光集團攜手合作，并有望獲得美光在 NAND Flash 的協助，現在事情再有新進展，根據調研機構集邦科技旗下存儲器儲存事業處 DRAMeXchange 說法，紫光將于武漢成立新企業，未來武漢新芯將并入旗下，據科技新報取得的消息，最終由紫光集團董事長趙偉國將出線掌舵新事業。
朝 NAND Flash 發展前進
調研機構集邦科技旗下存儲器儲存事業處 DRAMeXchange 今 27 日發布消息指出，紫光集團預計于武漢成立長江存儲科技
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- 外媒報導，中國IC設計龍頭紫光集團已完成武漢新芯集成電路制造有限公司(武漢新芯)超過50%的股權收購。這意味著，中國半導體的兩大「國家隊」聯手進軍NAND Flash記憶體領域的計畫即將實現，紫光集團董事長趙偉國也將擔任合并后公司的總裁。
報導稱，紫光日前投資120多億美元興建1家新的記憶體晶片廠，以及進行半導體業務并購，不過紫光在海外的并購屢踢鐵板。本月初，有消息傳出，紫光將聯手武漢新芯大舉進軍NAND Flash記憶體領域，且可能獲得大廠美光(Micron)的技術授權，采取「華亞科」模式，可
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- 北京時間7月26日晚間消息，《華爾街日報》今日援引知情人士的消息稱，中國建造先進存儲芯片工廠的兩大主要項目已進行了合并。此舉旨在打造實力更強的大型企業，從而縮小與西方國家之間的技術差距。
據四位知情人士稱，紫光集團(Tsinghua Unigroup)已收購武漢新芯集成電路制造有限公司(XMC，以下簡稱“武漢新芯”)多數股權。之前，武漢新芯曾打造規模為240億美元的存儲芯片制造中心。
今年3月28日，總投資240億美元(約1600億元人民幣)的存儲器基地項目在武漢東
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- 清華紫光集團有意拉武漢新芯，搶進NAND Flash市場，采取類似美光與臺DRAM大廠華亞科的合作模式，如此一來，紫光也可搭上武漢新芯構建新廠的列車，并且與美光洽談技術授權，加速紫光集團發展壯大的時間。
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- 外媒傳武漢新芯將與紫光集團攜手，并有望獲得美光(Micron)的支持，雙方如果能夠成功整合，在資金資源、技術力量與市場容量方面，新企業都有巨大的想象空間，有媒體稱“中國存儲器有望復制面板產業的成功，在技術更新交替的階段，彎道超車趕上國際一線廠商。”
在存儲領域，無論是武漢新芯還是紫光集團，都已經布局了很長時間。相對而言，紫光聲勢更大，武漢新芯步子更快。2015年曾傳出紫光收購美光的新聞，但是最后不了了之;此后紫光宣布入股西部數據，從而促成了西部數據收購閃迪的交易;之后紫光
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- 外媒傳武漢新芯將與紫光集團攜手合作，不只獲得飛索半導體(Spansion)在3D NAND Flash的技術授權，更有望獲得美光(Micron)的支持。中國存儲器芯片有望復制面板產業的成功，在技術更新交替的階段，彎道超車趕上國際一線廠商。
3月28日，武漢新芯在武漢市東湖高新區啟動了總投資240億美元的“光谷”存儲器基地，該基地預計2018年將實現3D NAND存儲器的首次量產，并于2020年形成月產能30萬片的生產規模，其中20萬片3D NAND Flash和10萬片D
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- 5月23日，李克強總理視察武漢新芯，參觀了公司的晶圓廠，并和武漢新芯的管理和研發團隊親切交談。他說，在集成電路領域，管理和研發這兩塊最難也最重要，希望武漢新芯摸索出好的管理經驗，制造出高性能、高質量的自主可控的芯片。
下午6:40分左右，李克強總理到達武漢新芯，并在董事長王繼增和執行長楊士寧博士的陪同下，直接前往晶圓廠參觀。
楊士寧博士向總理匯報了武漢新芯的技術研發和業務布局情況。他介紹，武漢新芯現有業務布局物聯網領域。目前，公司45nmNORFlash(代碼型閃存)生產技術水平世界領先，
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- 紅色供應鏈來勢洶洶，外界原本認為，陸廠要到四五年后才能在記憶體搶下一席之地，不過有分析師預測，陸廠研發腳步迅速，可能2018年就能量產3D NAND。
巴 倫(Barronˋs)6日報導，美系外資晶片設備分析師Atif Malik稱，中國透過Rambus和Spansion取得DRAM和NAND記憶體的技術授權。2月份，Spansion和武漢新芯(XMC)簽訂3D NAND研發和交叉授權協定。由武漢新芯出資、Spansion提供電荷儲存式(Charge trap)和浮閘(Floating Gate
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- 自從國家發布集成電路扶植政策，做存儲器風起云涌。
武漢新芯要做，紫光趙偉國要做，合肥希望借助爾必達前CEO要做，廈門借助爾必達前CTO也要做，最新消息福建泉州要和聯電一起投資DRAM工廠。
算上三星在西安、Intel在大連的投資，猜得不錯，不出幾年，大陸會成為全球存儲器產業的熱點。
看似風光的表面，其實隱藏的風險很大，因為大陸的底子實在太薄，要技術沒技術，要人才沒人才，當然要錢的話，有很多。
就目前形式來看，老杳相對看好兩家，新芯和紫光，紫光由于體制關系，趙偉國有更多的疼轉挪移
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- 前天，武漢集成電路技術及產業服務中心(簡稱“武漢ICC”)成立及啟動儀式上，武漢新芯集成電路制造有限公司董事長王繼增接受了記者的專訪。這也是3月28日國家存儲器基地在武漢光谷正式開工以來，王繼增首次在公眾場合亮相，該基地計劃未來5年投資240億美元。
“記錄生活點點滴滴，不用擔心存儲器不夠用”
記者與王繼增的對話，從武漢新芯的產品對民生的影響說起。“利用芯片疊加技術，制造多層的三維立體存儲器，將是現在乃至未來的主流產品。&rdqu
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- 大陸國營企業武漢新芯(XMC)最近發表約240億美元的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產NAND Flash為主的半導體工廠。依韓國業界看法，武漢新芯與三星電子(Samsung Electronics)仍有至少3~4年的技術差距，但將是大陸市場上的潛在最大對手。
據韓聯社報導，大武漢新芯最近發表27兆韓元(約240億美元)的投資計劃，將以武漢為基地，興建以生產NAND Flash為主的半導體工廠。地方政府已從投資機構湖北省集成電路產業投資基金方面取得鉅額資金。
韓聯社引述EE Times
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- 國內發展半導體不差錢也不怕市場不夠，但技術和人才是繞不過去的兩個坎，現在也引起了海外投資及國內自主兩大派系的興趣。
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