- 日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出高穩定性薄膜片式電阻的實驗室樣品套件---TNPW0402?e3?(LTW0402?e3?96/4)和TNPW0603?e3?(LTW0603?e3?96/4),它們可幫助工程師開發原型,加快電子系統的上市時間。 今天發布的樣品套件分別提供了采用TNPW0402?e3和TNPW0603?e3封裝的大約100個最常
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Vishay TNPW0402 傳感器 RoHS E-96
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款可編程開關---Vishay Siliconix SiP12109,其頻率高達1.5MHz,輸入電壓4.5~15V的4A器件,擴充了Vishay的microBUCK?系列集成式同步降壓穩壓器。Vishay Siliconix SiP12109在節省空間的3mm x 3mm QFN-16封裝內集成了高邊和低邊功率MOSFET,為設計者提供了
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Vishay SiP12109 microBUCK CM-COT DC/DC
- 日前,Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布,推出兩款通過AEC-Q101認證的配對高速940nm紅外發射器和硅PIN光電二極管VSMB10940X01/VEMD10940FX01和VSMB11940X01/VEMD11940FX01,采用小尺寸3mm?x?2mm側視表面貼裝封裝。VSMB10940X01/VEMD10940FX01高度為1mm,VSMB11940X01/VEMD11940FX01的高度為0.6mm,是業內高度最低的側視產品
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Vishay 紅外 PIN VSMB AEC-Q101
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新的具有轉換速率控制功能的6.5mΩ雙向電池開關--- SiP32101,可在便攜式電子設備、醫療設備和儀器儀表中用來隔離低壓電池。在這些空間受限的應用中,Vishay Siliconix SiP32101比使用分立MOSFET的方案能節省91%的PCB空間,在小尺寸12凸點WCSP封裝內實現了低導通電阻和超低靜態電流。
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Vishay SiP32101 雙向
- 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,擴充其TANTAMOUNT?低ESR TR3和標準工業級293D系列固鉭表面貼裝片式電容器,使B、C、D、E、V和W外形尺寸器件的電壓提高到75V。來自于Vishay Sprague的該款器件是業內首個75V模塑鉭電容器,是為滿足在+28V和+35V應用中降額50%額定電壓而設計的。
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Vishay 模塑鉭電容器 表面貼裝片式
- 2014 年 2 月20 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用該公司IHLP? 技術制造,可用于SEPIC DC/DC轉換器和其他應用的新系列組合耦合電感器。
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Vishay 電感器 LED IHCL
- 2014 年 2 月19 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發布采用小尺寸3.85mm x 3.85mm x 2.24mm頂視SMD封裝的新款850nm紅外發射器--- VSMY98545,擴大其光電子產品組合。VSMY98545基于SurfLight?表面發射器芯片技術,集成鏡片,具有高驅動電流、高發光強度和高光功率,同時具有低熱阻。
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Vishay 發射器 VSMY98545
- 2014 年 2 月18 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出具有更強穩定性的新系列SMD NTC熱敏電阻---NTCS....E3...SMT,可用于溫度檢測和補償電路。
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Vishay 熱敏電阻 NTC
- 2014 年 2 月17 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出7個新的45V和50V器件,擴充其TMBS? Trench MOS勢壘肖特基整流器。這些高電流密度的整流器適合汽車和商業應用,具有3A~8A的電流等級和低正向壓降,采用薄外形表面貼裝DO-221BC(SMPA)封裝。
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Vishay 整流器
- 2014 年 2 月13 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,發布用于高功率表面貼裝射頻應用的新系列厚膜片式電阻---RCP系列。Vishay Dale RCP系列器件具有1206小外形尺寸,在+70℃和標準印制板貼裝情況下的功率等級為1W,采用主動式溫度控制后,功率等級可達11W。
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Vishay RCP 電阻
- 2014 年 1 月22 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出具有業內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP,擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
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Vishay MOSFET Si7157DP
- VishayIntertechnology,Inc.宣布,擴大其用于高溫應用的VJX8R系列表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)。為節...
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Vishay 高溫環境 電容器
- 2013 年 12 月5 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出業界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT?封裝尺寸的-20V器件---Si8851EDB,擴展其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
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Vishay Si8851EDB 導通電阻
- 2013 年 12 月23 日,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出可編程開關頻率高達4MHz的新款5A器件---SiP12108,擴大其microBUCK?集成式同步降壓穩壓器系列。
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Vishay 穩壓器 SiP12108
- 日前,VishayIntertechnology,Inc.(NYSE股市代號:VSH)宣布,對用于消費類產品中紅外遙控應用的TSOP36...系列小型表面貼裝紅外接收器的性能進行了升級。TSOP36…系列的最小發光強度達到0.12mW/m2,靈敏度比前一代器件高20%,可在有紅外3D電視信號和其他噪聲的情況下使用,并提高了對這些信號和噪聲的濾光功能。
今天發布的這些器件采用新一代集成電路,提供了5個針對短編碼和長突發編碼的自動增益控制(AGC)版本。TSOP361..和TSOP
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Vishay 紅外接收器
vishay介紹
威世(VISHAY)集團成立于1962年,總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團通過科技創新和不斷的并購, 迅速發展成為世界上最大的分離式半導體和無源電子器件制造商之一。目前集團已有69個制造基地遍布全球17個國家,其中中國大陸有7家制造業工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團被美國財富雜志評為半導體領域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產品被廣泛地應用于工業、計算機 [
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