- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，該公司的Si8851EDB TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET榮獲《電子產品世界》雜志的2013年度電源產品獎。 《電子產品世界》年度電源產品獎評選已經舉行了11年，面向全球的電源供應商征集參選產品。五個門類的最佳產品獎和最佳應用獎的獲獎產品是通過在線投票，以及《電子產品世界》的編輯、專家和工程師的嚴格評審選出的。Vishay的Si8851EDB能夠在便攜式計算設備中顯著提高效率
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Vishay MOSFET 電子產品世界
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新系列高功率、大電流柵極電阻---GRE1。Vishay Milwaukee GRE1器件具有6.5kW的高功率和+400℃的工作溫度，以及穩健的設計，可直接替換競爭的解決方案。
2014年5月15日發布的柵極電阻在+40℃下的功率為1kW～6.5kW，適用于機車、諧波濾波器、可再生能源以及工業系統里的電容器預充電和放電、電阻制動、負載測試、加熱器和中性點接地應用。器件的電阻值為0.1&Om
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Vishay GRE1 電阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新系列通孔單輸入線薄膜電阻---HVPS。Vishay Dale薄膜HVPS器件適合精密、高壓儀表和放大器中的高精度應用，具有高達10MΩ的阻值、低至±0.01%的嚴格公差和1800V的高工作電壓。
今天發布的電阻采用高工作電壓，在+70℃下可以將±0.05%的穩定薄膜特性保持2000小時，具有±5ppm/℃的超低TCR和50k&Omeg
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Vishay HVPS 電阻
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出業界首款采用小尺寸、熱增強型SC-70? 封裝的150V N溝道MOSFET---SiA446DJ。Vishay Siliconix SiA446DJ的占位面積為2mm x 2mm，在10V下具有業內最低的導通電阻，可通過減少傳導和開關損耗，在各種空間受限的應用中提高效率。
SiA446DJ適用于隔離式DC/DC轉換器里的初級側開關、LED背光里的升壓轉換器，以及以太網供電 (PoE
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Vishay 電阻 SiA446DJ
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款通用扁繞功率電阻---EDGU。通用的貼裝EDGU電阻可方便地直接替換競爭產品，兼具高可靠性設計和在85A電流下連續工作的能力，可承受5秒鐘的相當于10倍額定功率的短時過載。
Vishay Milwaukee EDGU采用卷在邊緣的電阻合金帶狀導線，導線被撐在專門設計的瓷質絕緣子上，絕緣子具有適當的匝到匝間距和保持到支撐桿的絕緣。器件的開放式線圈結構能夠實現高效散熱，能承受過載和浪涌。E
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Vishay 電阻 EDGU
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出用于軍工和航天應用的TANTAMOUNT?表面貼裝固鉭模塑片式電容器的新Hi-Rel系列產品---T42。Vishay Sprague T42系列提供符合MIL-PRF-55365要求的高可靠性和浪涌電流測試選項，內置熔絲可實現自動防故障操作，兼具高容量和高電壓，在+25℃和100kHz條件下ESR低至80mΩ。
T42產品數據表鏈接地址：http://datasheet.e
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Vishay T42 電容器
- 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出采用超小尺寸、熱增強PowerPAK? SC-70封裝的新款-30V、12V VGS P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA453EDJ。該器件是2mm x 2mm占位面積的-30V器件，在-4.5V和-2.5V柵極驅動下具有業內最低的導通電阻，在便攜電子產品里能夠節省空間，并提高能源效率。
2014年4月29日發布的Vishay Siliconix這款-30
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Vishay 電阻 SiA453EDJ
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出可在+180℃高溫下連續工作的新款車用級IHLP?低外形、大電流電感器---IHLP-2525CZ-8A。新的Vishay?Dale?IHLP-2525CZ-8A的外形尺寸為2525，高度低至3.0mm，感值范圍從0.47μH到22μH。 今天推出的器件通過AEC-Q200認證，頻率高達1MHz，可在高溫汽車應用里當作電壓穩壓模塊(VRM)和DC/DC轉換器的高效能、節省空間和能源解決方案
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IHLP 電感器 Vishay
- 器件適合音響和醫療應用，具有12W高功率等級和+350℃的工作溫度。賓夕法尼亞、MALVERN—2014年4...
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Vishay 繞線電阻 音響
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出可用于醫療成像設備和高端音響的新系列無磁、無感軸向引線的繞線電阻---MRA系列，電阻的功率等級高達12W，可在+350℃高溫下工作。 Vishay?Mills?MRA系列器件來自Vishay?Dale電阻事業部，采用無感和全焊接結構，適用于射頻和運算放大器應用，能夠大大增強頻率響應。結合無感的Ayrton-Perry線圈，器件幾乎沒有感抗和信號損失。 電阻在25℃下的功率等級
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Vishay 醫療電子 MRA 放大器
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.日前宣布，發布用于DC-link應用的新款環境友好的金屬化聚丙烯膜電容器---MKP1848C。器件具有1μF～500μF的容量范圍、小尺寸占位，電壓等級從500V到1200V。 憑借單位體積的高容量和在+70℃、標稱直流電壓下超過10萬小時的長壽命，經濟實用的MKP1848C非常適合可再生能源逆變器、電機驅動和電源等工業電源應用。 DC-link電容器的ESR低至1.5mΩ，每毫米引線間隔的自感小于1nH，可承受高
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Vishay 電容器 MKP1848C
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，將2512外形尺寸的PTN系列精密表面貼裝薄膜片式電阻的功率等級提到2W。Vishay?Dale薄膜器件采用自鈍化的耐潮鉭氮化物電阻膜技術，具有高功率等級和低至±25ppm/℃的絕對TCR，在-55℃～+125℃寬溫條件下，經過激光微調的公差低至±0.1%。 PTN電阻的鉭氮化物電阻膜使器件的耐潮水平超過MIL-PRF-55342的極限，使這款器件非常適合軍工、航天、電信和工業應用的低噪聲、高精度控制系
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Vishay TCR PTN
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK??SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET?功率MOSFET。Vishay?Siliconix?SiA936EDJ可在便攜式電子產品中節省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅動下具有20?V(12V?VGS和8V?VGS)器件中最低的導通電阻，占位面積為2mm?x?2mm。
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Vishay MOSFET SiA936EDJ
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出用于電機驅動、太陽能逆變器、新能源和焊接設備，以及其他高工作電壓應用的新款IGBT和MOSFET驅動器VOW3120-X017T，擴充其光電子產品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長隔離距離，還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓，非常適合在高工作電壓下運轉的應用及污染程度較重的環境。 除了具有優異的隔離能力，使用可靠和久經考驗的光電子
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Vishay IGBT MOSFET VOW3120
- 日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出高穩定性薄膜片式電阻的實驗室樣品套件---TNPW0402?e3?(LTW0402?e3?96/4)和TNPW0603?e3?(LTW0603?e3?96/4)，它們可幫助工程師開發原型，加快電子系統的上市時間。 今天發布的樣品套件分別提供了采用TNPW0402?e3和TNPW0603?e3封裝的大約100個最
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Vishay TNPW0402 E-96 薄膜技術
vishay介紹
威世（VISHAY）集團成立于1962年，總部位于美國賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團通過科技創新和不斷的并購, 迅速發展成為世界上最大的分離式半導體和無源電子器件制造商之一。目前集團已有69個制造基地遍布全球17個國家，其中中國大陸有7家制造業工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團被美國財富雜志評為半導體領域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產品被廣泛地應用于工業、計算機 [
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