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ROHM開發出可更大程度激發GaN器件性能的超高速柵極驅動器IC

  • 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出一款超高速驅動GaN器件的柵極驅動器IC“BD2311NVX-LB”。近年來,在服務器系統等領域,由于IoT設備的需求日益增長,電源部分的功率轉換效率提升和設備的小型化已經成為重要的社會課題,而這就要求功率元器件的不斷優化。另外,不僅在自動駕駛領域,在工業設備和社會基礎設施監控等領域應用也非常廣泛的LiDAR*1,也需要通過高速脈沖激光照射來進一步提高識別精度。在這類應用中,必須使用高速開關器件,因此,ROHM在推出支持高速開關的GaN器件的同時,還
  • 關鍵字: ROHM  GaN器件  高速柵極驅動器IC  

如何在大功率應用中減少損耗、提高能效并擴大溫度范圍

  • 功耗密集型應用的設計人員需要更小、更輕、更節能的電源轉換器,能夠在更高電壓和溫度下工作。在電動汽車 (EV) 等應用中尤其如此,若能實現這些改進,可加快充電速度、延長續航里程。為了實現這些改進,設計人員目前使用基于寬帶隙 (WBG) 技術的電源轉換器,例如碳化硅 (SiC) 電源轉換器。功耗密集型應用的設計人員需要更小、更輕、更節能的電源轉換器,能夠在更高電壓和溫度下工作。在電動汽車 (EV) 等應用中尤其如此,若能實現這些改進,可加快充電速度、延長續航里程。為了實現這些改進,設計人員目前使用基
  • 關鍵字: ROHM  大功率應用  溫度范圍  

緩沖電路的種類和選擇

  • 緩沖電路包括由電阻器、線圈、電容器等無源元件組成的電路,以及由半導體元器件組成的有源電路(*1)。在這里將為您介紹無需控制且具有成本優勢的電路方式。關鍵要點※ 要想使緩沖電路充分發揮出其效果,需要盡可能靠近開關器件進行安裝。緩沖電路包括由R、L、C等無源元件組成的電路和由半導體元器件組成的有源電路?!?本文介紹了無需控制而且具有成本優勢的電路方式——C緩沖電路、RC緩沖電路、放電型RCD緩沖電路和非放電型RCD緩沖電路。本文進入本系列文章的第二個主題:“緩沖電路的種類和選擇”。●   
  • 關鍵字: ROHM  緩沖電路  

ROHM開發出適用于條碼標簽打印應用、500mm/秒的業內超快打印速度的熱敏打印頭

  • 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)新推出兩款高可靠性高速熱敏打印頭“TE2004-QP1W00A(203dpi)”和“TE3004-TP1W00A(300dpi)”,新產品非常適用于物流和庫存管理等領域打印標簽所用的條碼標簽打印機。近年來,電子商務(EC)市場蓬勃發展,消費者的需求越來越多樣化,使得對物流標簽和庫存管理標簽等的需求也日益高漲。然而,憑借以往的熱敏打印頭技術,250mm/秒~300mm/秒已經是打印速度的極限。在這種背景下,ROHM采用新結構和新技術開發出高可靠性的高速熱敏打
  • 關鍵字: ROHM  條碼標簽打印  超快打印  熱敏打印頭  

ROHM新增5款100V耐壓雙MOSFET 以小尺寸實現業界超低導通電阻

  • ~非常適用于通信基站和工業設備等的風扇電機,有助于設備進一步降低功耗和節省空間~ 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向通信基站和工業設備等的風扇電機驅動應用,開發出將兩枚100V耐壓MOSFET*1一體化封裝的雙MOSFET新產品。新產品分為“HP8KEx/HT8KEx(Nch+Nch)系列”和“HP8MEx(Nch+Pch*2)系列”兩個系列,共5款新機型。近年來,在通信基站和工業設備領域,為了降低電流值、提高效率,以往的12V和24V系統逐漸被轉換為48V系統,電源電壓呈提
  • 關鍵字: ROHM  雙MOSFET  

ROHM開發出配備VCSEL的小型接近傳感器,用于無線耳機等可穿戴設備

  • 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向包括無線耳機和智能手表等可穿戴設備在內的需要脫戴檢測和接近檢測的各種應用,開發出2.0mm×1.0mm尺寸的小型接近傳感器“RPR-0720”。  近年來,隨著物聯網設備的普及,在其中發揮著重要作用的傳感器產品需要具備更小的體積、更高的性能。ROHM擁有將發光元件和光接收元件一體化封裝的接近傳感器系列產品,由于其適用性高而被廣泛應用于從移動設備到工業設備的眾多領域。特別是在可穿戴設備領域,由于產品的性能不斷提升,導致所用的元器件數量增加,對設
  • 關鍵字: ROHM  VCSEL  接近傳感器  無線耳機  可穿戴設備  

ROHM開發出EcoGaN? Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”, 助力減少服務器和AC適配器等的損耗和體積!

  • 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向數據服務器等工業設備和AC適配器等消費電子設備的一次側電源*1,開發出集650V GaN HEMT*2和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。近年來,為了實現可持續發展的社會,對消費電子和工業設備的電源提出了更高的節能要求。針對這種需求,GaN HEMT作為一種非常有助于提高功率轉換效率和實現器件小型化的器件被寄予厚望。然而,與Si MOSFET相
  • 關鍵字: ROHM  AC適配器  GaN HEMT  Si MOSFET  

逆變電路中開關器件反向恢復特性的重要性—逆變電路的種類和通電方式

  • 逆變電路主要分為單相逆變電路和三相逆變電路兩類。單相逆變電路的電路圖和輸出電流的示意波形分別如圖1和圖2所示。單相逆變電路可將直流電轉換為單相交流電,因此通常被用于功率調節器和不間斷電源(UPS)等普通家庭的商用電源應用。關鍵要點?逆變電路主要分為單相逆變電路和三相逆變電路兩類。?電機驅動采用可使轉矩穩定、且可抑制振動和噪聲的三相逆變器。?用三相逆變器驅動電機時的激勵(通電)方式有方波驅動(120°激勵)和正弦波驅動(三相調制、兩相調制),不同的方式各有優缺點。?在本系列文章中,將以電機驅動中常用的正弦波
  • 關鍵字: ROHM  逆變電路  

ROHM面向車載應用開發出高耐壓霍爾IC新產品“BD5310xG-CZ/BD5410xG-CZ系列”

  • 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向使用到磁場檢測的車載應用開發出新的霍爾IC“BD5310xG-CZ?/ BD5410xG-CZ系列”。近年來,隨著汽車的電動化和高性能化發展,以及舒適性和安全性的提高,在汽車中電子產品的應用越來越多,而控制這些電子產品的ECU(電子控制單元)和附帶的傳感器已成為不可或缺的組成部分。在傳感器類產品中,霍爾IC能夠以非接觸方式進行位置檢測和電機旋轉檢測,與機械式開關相比,具有不易磨損、體積小、可配備保護電路等諸多優點,因此其應用尤為廣泛。ROHM
  • 關鍵字: ROHM  霍爾IC  

漏極和源極之間產生的浪涌

  • 開關導通時,線路和電路板版圖的電感之中會直接積蓄電能(電流能量)。當該能量與開關器件的寄生電容發生諧振時,就會在漏極和源極之間產生浪涌。下面將利用圖1來說明發生浪涌時的振鈴電流的路徑。這是一個橋式結構,在High Side(以下簡稱HS)和Low Side(以下簡稱LS)之間連接了一個開關器件,該圖是LS導通,電路中存在開關電流IMAIN的情形。通常,該IMAIN從VSW流入,通過線路電感LMAIN流動。本文的關鍵要點?漏極和源極間的浪涌是由各種電感分量和MOSFET寄生電容的諧振引起的。?在實際的版圖設
  • 關鍵字: ROHM  漏極  源極  

安全使用三端穩壓器必備的散熱基礎知識

  • 三端穩壓器是一種可以用來對電源進行降壓的簡單電子器件。由于降壓部分直接因發熱而成為熱損耗,因此在從很高的電壓降壓時或在大電流條件下使用時,需要安裝合適的散熱器。研究發現,溫度每升高2℃,電子元器件的不良率就會增加10%,因此,適當的散熱設計對于提高電子元器件的可靠性和延長使用壽命而言至關重要。1 三端穩壓器的最大電流取決于溫度三端穩壓器有多種類型,其最大輸出電流涵蓋0.5A到2A的范圍。但是,在最大電流條件下使用時,需要配備合適的散熱器。在三端穩壓器的技術規格書中,列出了單獨使用IC時和帶散熱器使用IC時
  • 關鍵字: ROHM  穩壓器  散熱  

ROHM開發出汽車內飾用RGB貼片LED 減少由混色引起的色差問題

  • 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)推出一款面向汽車內飾的RGB貼片LED*1“SMLVN6RGBFU”,非常適用于儀表盤和CID(Center Information Display)*2等車內功能和狀態顯示用的指示燈*3,以及腳燈和門把手燈等裝飾照明應用。近年來,隨著汽車電子化程度的提高和功能多樣化的發展,車速自動控制、車距檢測、車道線檢測等各種駕駛輔助功能得以廣泛應用。為了用儀表盤等的指示燈顯示這些功能的工作狀態,業內對于能夠表現各種顏色的RGB貼片LED的需求日益高漲。另外,對使用R
  • 關鍵字: ROHM  汽車內飾  貼片LED  色差問題  

ROHM開始量產具有業界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

  • 全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產,這兩款產品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統。據悉,電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半,為實現無碳社會,如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關鍵,SiC (Silicon Carbide:碳化硅)和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年,RO
  • 關鍵字: ROHM  650V  GaN HEMT  

ROHM開發出超低導通電阻的Nch MOSFET

  • 新推出40V~150V耐壓的共13款產品,非常適用于工業設備電源和各種電機驅動全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產品(40V/60V/80V/100V/150V),這些產品非常適合驅動以24V、36V、48V級電源供電的應用,例如基站和服務器用的電源、工業和消費電子設備用的電機等。近年來,全球電力需求量持續增長,如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題,這就要求不斷提高各種電機和基站、服務器等工業設備的工作
  • 關鍵字: ROHM  超低導通電阻  Nch MOSFET  

ROHM的SiC MOSFET和SiC SBD成功應用于Apex Microtechnology的工業設備功率模塊系列

  • 全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SiC SBD”)已被成功應用于大功率模擬模塊制造商Apex Microtechnology的功率模塊系列產品。該電源模塊系列包括驅動器模塊“SA310”(非常適用于高耐壓三相直流電機驅動)和半橋模塊“SA110”“SA111”(非常適用于眾多高電壓應用)兩種產品。ROHM的1,200V SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的
  • 關鍵字: ROHM  SiC MOSFET  SiC SBD  Apex  工業設備功率模塊   
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rohm介紹

Rohm株式會社為全球知名的半導體生產企業,ROHM公司總部所在地設在日本京都市,1958年作為小電子零部件生產商在京都起家的ROHM,于1967年和1969年逐步進入了 晶體管、二極管領域和IC等半導體領域.2年后的1971年ROHM作為第一家進入美國硅谷的日本企業,在硅谷開設了IC設計中心.以當時的企業規模,憑借被稱為"超常思維"的創新理念,加之年輕的、充滿夢想和激情的員工的艱苦奮斗,ROHM [ 查看詳細 ]

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