全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向車載設備、工業設備、消費電子設備等的電源電路和保護電路，推出trr*1超快的100V耐壓肖特基勢壘二極管(以下簡稱“SBD”)“YQ系列”。

　　二極管的種類有很多，其中高效率SBD被廣泛用于各種應用。尤其是溝槽MOS結構的SBD，其VF低于平面結構的SBD，因此可以在整流等應用中提高效率。而普通溝槽MOS結構的產品，其trr比平面結構的要差，因此在用于開關應用時存在功率損耗增加的課題。針對這種課題，ROHM推出采用自有的溝槽MOS結構、同時改善了存在權衡關系的VF和IR、并實現了業界超快trr的YQ系列產品。

　　“YQ系列”是繼以往支持各種電路應用的4個SBD系列之后推出的新系列產品，也是ROHM首款采用溝槽MOS結構的二極管。該系列利用ROHM自有的結構設計，實現了業界超快的trr(15ns)，與同樣采用溝槽MOS結構的普通產品相比，trr單項的損耗降低約37%，總開關損耗降低約26%，因此，有助于降低應用產品的功耗。另外，通過采用溝槽MOS結構，與以往采用平面結構的SBD相比，正向施加時的損耗VF* 2和反向施加時的損耗IR* 3均得到改善。這不僅可以降低在整流應用等正向使用時的功率損耗，還可以降低對于SBD而言最令人擔心的熱失控風險*4。這些優勢使得該系列產品非常適用于容易發熱的車載LED前照燈的驅動電路、xEV用的DC-DC轉換器等需要進行高速開關的應用。

　　新產品從2023年12月起全部投入量產，樣品可通過Ameya360等平臺購買。今后，ROHM將持續努力提高從低耐壓到高耐壓半導體元器件的品質，并繼續加強別具特色的產品陣容，為應用產品進一步實現小型化和更低功耗貢獻力量。

    <關于SBD的溝槽MOS結構>

　　溝槽MOS結構是在外延層中形成溝槽(溝槽MOS)并用多晶硅填充的結構，這種結構可以緩和電場集中，從而可以降低外延層的電阻率，在正向施加時VF更低。另外，當反向施加時，可以緩和電場集中現象，從而實現更低的IR。前述的“YQ系列”通過采用這種溝槽MOS結構，與以往產品相比，VF改善了約7%，IR改善了約82%。另一方面，在普通溝槽MOS結構中，寄生電容(元器件中的電阻分量)較大，因此trr要比平面結構的差。“YQ系列”不僅改善了VF和IR，而且還利用ROHM自有的結構設計，實現了約15ns的業界超快trr。由于可將開關時的損耗降低約26%，因此非常有助于降低應用產品的功耗。

　　<應用示例>

　　?汽車LED前照燈 ?xEV用DC-DC轉換器 ?工業設備電源 ?照明

　　<產品陣容表>

　　<支持頁面和資源信息>

　　ROHM的官網提供可以了解新產品電路優勢的應用指南，以及介紹包括新產品在內的各SBD系列產品特點的白皮書。在SBD產品頁面中，可以通過輸入耐壓條件等參數來縮小產品范圍，有助于設計時順利選擇產品。文章原文請查看：http://www.ameya360.com/hangye/111258.html

　　<術語解說>

　　*1) 反向恢復時間：trr(Reverse Recovery Time)

　　開關二極管從導通狀態到完全關斷狀態所需的時間。該值越低，開關時的損耗越小。

　　*2) 正向電壓：VF(Forward Voltage)

　　當電流沿從+到-的方向流動時產生的電壓降。該值越低，效率越高。

　　*3) 反向電流：IR(Reverse Current)

　　反向施加電壓時產生的反向電流。該值越低，功耗(反向功耗)越小。

　　*4) 熱失控

　　當向二極管施加反向電壓時，內部的芯片發熱量超過了封裝的散熱量，導致IR值增加，最終造成損壞的現

　　象稱為“熱失控”。IR值高的SBD尤其容易發生熱失控，因此在設計電路時需要格外注意。