nand flash 文章進(jìn)入nand flash技術(shù)社區(qū)

東芝推出業(yè)界容量最大的嵌入式 NAND 閃存

　　東芝公司 (Toshiba Corp.) 與其美洲子公司東芝美國電子元件公司 (Toshiba America Electronic Components, Inc.) 聯(lián)合宣布，該公司已經(jīng)推廣了一種新型嵌入式 NAND 閃存系列產(chǎn)品，這一系列產(chǎn)品遵從了 eMMC 標(biāo)準(zhǔn)并且容量達(dá)到該行業(yè)之最。這種容量為 16GB 的新設(shè)備旨在應(yīng)用于手機(jī)和攝像機(jī)等移動消費(fèi)產(chǎn)品。樣品將于今年第二季度推出市場，大批量的生產(chǎn)將于第四季度開始。在這之前，東芝將在本月開始推出 8GB 樣品，并將于第三季度開始大規(guī)模生產(chǎn)。　　
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如何將ICCAVR程序中的數(shù)組存入FLASH中

如何將ICCAVR程序中的數(shù)組存入FLASH中下面是ICCAVR中對字符串和常數(shù)表格分配可能出現(xiàn)的五種情況: const int table[]={1,2,3};//table表格只分配進(jìn)程序存儲器中 const char string[]="iccavr";//字符串?dāng)?shù)組只分配進(jìn)程序存儲器中const char *prt1 //指針prt1位于數(shù)據(jù)存儲器空間指向程序存儲器空間的字符型數(shù)據(jù) char *const prt2 //指針prt2位于程序存儲器空間指向數(shù)據(jù)存儲器空間的字符型數(shù)據(jù) const ch
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從NAND閃存中啟動U-BOOT的設(shè)計(jì)

引言隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對大容量數(shù)據(jù)存儲的需求越來越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存設(shè)備就是為了滿足這種需求而迅速發(fā)展起來的。目前關(guān)于U-BOOT的移植解決方案主要面向的是微處理器中的NOR 閃存，如果能在微處理器上的NAND 閃存中實(shí)現(xiàn)U-BOOT的啟動，則會給實(shí)際應(yīng)用帶來極大的方便。 U-BOOT簡介 U-BOOT 支持ARM、 PowerPC等多種架構(gòu)的處理器，也支持Linux、NetBSD和VxWorks等多種操作系統(tǒng)，主要
關(guān)鍵字： NAND U-BOOT 消費(fèi)電子消費(fèi)電子

TMS320F28xx DSP中內(nèi)部Flash的應(yīng)用研究

文中列舉的Flash的這幾種用法，在CCS中編程下載到TMS320F28xx DSP開發(fā)板上，并通過運(yùn)行程序驗(yàn)證了其正確性。
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愛特梅爾推出新型ARM7 閃存微控制器

愛特梅爾推出業(yè)界首款支持千兆字節(jié)以上SDRAM、NAND Flash及CompactFlash存儲容量的ARM7 閃存微控制器通用內(nèi)存接口 (UMI) 配有錯(cuò)誤糾正代碼控制器，能夠防止NAND 閃存丟失數(shù)位愛特梅爾公司 (Atmel® Corporation) 現(xiàn)已為基于ARM7™ 的USB微控制器 SAM7 系列增添三款新產(chǎn)品。全新的 SAM7S
關(guān)鍵字： ARM7 CompactFlash Flash NAND SDRAM 愛特梅爾單片機(jī) 工業(yè)控制嵌入式系統(tǒng) 閃存微控制器存儲器工業(yè)控制

JTAG口及其對F1aSh的在線編程

本文介紹一種通過JTAG對Flash進(jìn)行的在線編程方法。
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適宜于嵌入式多媒體應(yīng)用的Flash文件系統(tǒng)

隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，嵌入式系統(tǒng)越來越多地在控制類、消費(fèi)類、通訊類等電子產(chǎn)品中廣泛應(yīng)用，并且隨著數(shù)字信號處理與人機(jī)交互界面等相關(guān)技術(shù)的不斷成熟，嵌入式多媒體應(yīng)用數(shù)量也逐漸上升。多媒體業(yè)務(wù)的數(shù)據(jù)量大，數(shù)據(jù)內(nèi)容復(fù)雜，在多媒體應(yīng)用中數(shù)據(jù)的存儲與管理是不容回避的問題。FLASH存儲器因制造成本低廉、存儲容量大、數(shù)據(jù)非易失、無機(jī)械故障，在目前的嵌入式系統(tǒng)中被廣泛用作外存儲器件。然而Flash存儲器卻是一種數(shù)據(jù)正確性非理想的器件，應(yīng)用中可能會出現(xiàn)壞損數(shù)據(jù)單元，這又給應(yīng)用Flash存儲器的嵌入式系統(tǒng)進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲管理增
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Flash 編程器的FPGA實(shí)現(xiàn)

1 引言閃速存儲器（FLASH Memory）以其集成度高、成本低、使用方便等許多優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于通訊設(shè)備、辦公設(shè)備、家用電器、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。利用其保存信息的非易失性和在線更新數(shù)據(jù)參數(shù)的特性，可將其作為具有一定靈活性的只讀存儲器（ROM）使用。現(xiàn)在的數(shù)字電路應(yīng)用系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，經(jīng)常遇到大容量的數(shù)據(jù)存儲問題。Flash由于容量大、存儲速度快、體積小、功耗低等諸多優(yōu)點(diǎn)，而成為應(yīng)用系統(tǒng)中數(shù)據(jù)存儲器件的首選。由于在研制實(shí)時(shí)信號處理系統(tǒng)時(shí)，需要一塊大容量的Flash來存儲坐標(biāo)變換的數(shù)據(jù)作查找表，因此
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外掛Flash的引導(dǎo)裝載設(shè)計(jì)

本文所敘述的引導(dǎo)方法在四通道數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)中得到了有效的驗(yàn)證，并且整個(gè)過程操作起來非常方便快捷。
關(guān)鍵字： Flash 引導(dǎo)裝載

基于FLASH介質(zhì)嵌入式存儲方案的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

1 引言 FLASH（閃速存儲器）作為一種安全、快速的存儲體，具有體積小、容量大、成本低、掉電數(shù)據(jù)不丟失等一系列優(yōu)點(diǎn)，已成為嵌入式系統(tǒng)中數(shù)據(jù)和程序最主要的載體。由于FLASH在結(jié)構(gòu)和操作方式上與硬盤、E2ROM等其他存儲介質(zhì)有較大區(qū)別，使用FLASH時(shí)必須根據(jù)其自身特性，對存儲系統(tǒng)進(jìn)行特殊設(shè)計(jì)，以保證系統(tǒng)的性能達(dá)到最優(yōu)。 2 FLASH的特點(diǎn)FLASH是一種非易失性存儲器NVM（Non-Volatile Memory），根據(jù)結(jié)構(gòu)的不同可以將其分成NOR FLASH和NAND FLASH兩種。但不管哪一
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分頁燒寫Flash的多頁程序并行自舉方法

以TMS320VC5410為例，介紹對Am29LV200B Flash存儲器進(jìn)行程序分頁燒寫以及上電后多頁用戶程序并行自舉的方法。
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Micron35億美金押寶NAND閃存

美國半導(dǎo)體廠商Micron美光表示，他們將于2007年在NAND閃存業(yè)務(wù)上投入35億美金的巨資，以擴(kuò)充生產(chǎn)NAND閃存的設(shè)備之用。　　產(chǎn)業(yè)分析師認(rèn)為，美光之所以35億美金巨資押寶NAND閃存，一方面在于看好NAND閃存在計(jì)算機(jī)產(chǎn)品、消費(fèi)電子產(chǎn)品上的應(yīng)用前景，另外，美光也希望借此在和三星電子、東芝等競爭對手的NAND大戰(zhàn)當(dāng)中保持優(yōu)勢地位。　　美光之前和Intel合資成立IM Flash公司，目前的主營業(yè)務(wù)就是NAND閃存。
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SanDisk擬降NAND價(jià)格將再引業(yè)界地震

據(jù)臺灣SanDisk公司內(nèi)部人士透露，公司將在本周將其NAND閃存的價(jià)格降低10％到15％。　　知情人士稱，SanDisk公司此次對其NAND閃存制成品的價(jià)格調(diào)整將在全球范圍內(nèi)同時(shí)展開，而不是針對某一地區(qū)市場進(jìn)行。這將是SanDisk公司在今年進(jìn)行的第四次產(chǎn)品降價(jià)，業(yè)內(nèi)觀察員指出，每次SanDisk公司對產(chǎn)品價(jià)格進(jìn)行調(diào)整都會對整個(gè)業(yè)界的價(jià)格體系造成一定影響。　　業(yè)內(nèi)人士預(yù)計(jì)，Sandisk公司即將進(jìn)行的產(chǎn)品價(jià)格調(diào)整可能會在業(yè)內(nèi)
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大容量串行e-Flash的FPGA配置方案

為配合某電力測量儀表的開發(fā)，對Xilinx公司的SpartanII系列FPGA的配置方案進(jìn)行了探索。該方案采用大容量串行e-Flash存儲器MM36SBO10存放FPGA配置文件,MCU讀取該配置文件并在被動串行模式下完成對XC2S30 的在線配置。該方案具有接口簡單、成本低廉、便于移植的優(yōu)點(diǎn)。
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ST NAND閃存數(shù)據(jù)吞吐量創(chuàng)造世界記錄

單片多級單元NAND閃存內(nèi)嵌功能強(qiáng)大的5位糾錯(cuò)機(jī)制降低下傳時(shí)間50% 意法半導(dǎo)體公布了數(shù)據(jù)吞吐量創(chuàng)世界記錄的4Gigabit NAND閃存的技術(shù)細(xì)節(jié)，ST新閃存芯片的數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá)36MB/s, 比今天市場上的最好成績還高大約50%。新芯片內(nèi)嵌一個(gè)功能強(qiáng)大的糾錯(cuò)處理器，每頁可以改正最多五個(gè)錯(cuò)誤，為高度可靠性和高速數(shù)據(jù)傳輸提供了保證，同時(shí)還簡化了存儲系統(tǒng)的設(shè)計(jì)，在舊金山國際固態(tài)電路大會(ISSCC) 上，意法半導(dǎo)體和韓國現(xiàn)代海力士（Hynix）的研究人員
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nand flash介紹

　Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的-種，其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價(jià)有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。　　NAND型閃存以塊為單位進(jìn)行擦除操作。閃存的寫入操作必須在空白區(qū)域進(jìn)行，如果目標(biāo)區(qū)域已經(jīng)有數(shù) [ 查看詳細(xì) ]