- 從普通串級調速原理入手,簡要分析影響串級調速系統功率因數的主要因素。對三相四線雙晶閘管串級調速、新型GTO串級調速等高功率方案分析與比較的基礎上,提出了一種新型三相四線制雙IGBT串級調速控制方案。
- 關鍵字:
IGBT 斬波 串級調速 系統
- 英飛凌科技股份公司在功率電子半導體分立器件和模塊領域連續第六年穩居全球第一的寶座。據IMS Research公司2009年發布的《功率半導體分立器件和模塊全球市場》報告稱,2008年,此類器件的全球市場增長了1.5%,增至139.6億美元(2007年為137.6億美元),而英飛凌的增長率高達7.8%。現在,英飛凌在該市場上占據了10.2%的份額,其最接近的競爭對手份額為6.8%。在歐洲、中東和非洲地區以及美洲,英飛凌也繼續獨占鰲頭,分別占據了22.8%和11.2%的市場份額。
隨著汽車、消費和工
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英飛凌 IGBT MOSFET
- 結合三相電機的調速控制原理,對高速數字信號處理器(DSP)TMS320F2812和三菱智能功率模塊DIP-IPM進行了詳細的介紹,提出了完整的的通用變頻電路設計方案。實驗結果表明,該方法控制精度高,工作穩定,能夠實現多種類型變頻調速。
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DIP-IPM 2812 TMS 32
- 經濟領域有兩大活躍因子:技術與資本。走進鳳凰半導體科技有限公司,你可以感受到這兩大活躍因子結合后迸發出的強勁效應。這家注冊于2008年7月的“530”企業,一期工廠已開始安裝設備。今年9月正式投產后,其生產的可提高能源使用效率的IGBT系列芯片將填補國內空白,告別同類產品依賴進口的局面。
剛滿“周歲”的鳳凰半導體就將進入產業化階段,其速度令人驚奇,但在總經理屈志軍看來,這一局面的形成并不意外。原因有二:一是所率留美博士團隊擁有國際一流技術;二是擁有
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變頻開關 IGBT
- IGBT綜述
1.1 IGBT的結構特點
IGBT是大功率、集成化的“絕緣柵雙極晶體管”(Insulated Gate Bipolar Transistor)。它是80年代初集合大功率雙極型晶體管GTR與MOSFET場效應管的優點而發展的一種新型復合電子器
- 關鍵字:
IGBT 600 系統 逆變器
- 引 言 多絕緣柵雙極型晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一種由雙極型晶體管與MOSFET組合的器件,它既具有MOSFET的柵極電壓控制快速開關特性,又具有雙極型晶體管大電流處理能力和低飽和壓降的特
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電路 研究 保護 驅動 EXB841 IGBT 基于 電源
- 在日益增長的變頻器市場,許多廠商提供性能和尺寸各異的變換器類型。這正是以低損耗和高開關頻率而著稱的新IGBT技術施展的舞臺。在62毫米(當前模塊的標準尺寸)模塊中使用新IGBT技術使用戶可以因不必改變其機械
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IGBT 性能
- 摘要:本文通過分析IGBT的結構及其安全工作區,解釋了在實際應用中可能造成其損壞的原因,并利用硬件電路結合單片機的控制程序對弧焊逆變電源的IGBT采取相應措施進行保護,從而確保了IGBT安全可靠的工作。 敘詞:IGB
- 關鍵字:
技術 保護 IGBT 逆變電源 大功率 電源
- 摘要:絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是應用廣泛的功率半導體器件,驅動器的合理設計對于IGBT的有效使用極為重要。本文就利用柵極電荷特性的考慮,介紹了一些計算用于開關IGBT的驅動器輸出性能的方法。 敘詞:IGBT,驅動
- 關鍵字:
計算 性能 輸出 驅動器 IGBT
- O 引言
無刷直流電機因其體積小,重量輕,維護方便,高效節能等一系列優點,被廣泛用于各個領域。尤其隨著高性能的單片機和專門用途的DSP(Digital Signal Processor)微處理器和集IGBT模塊及其驅動和保護于一身的
- 關鍵字:
IPM 無刷直流電動機 智能功率模塊 DSP 驅動 放大器 BLDC
- 新聞事件:
韓國LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd
事件影響:
將使英飛凌和LSI得以加速進入高效能家電、低功率消費與標準工業應用等前景好的市場
LS預計于2010年1月在天安市的生產基地開始量產CIPOS模塊
韓國LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd,將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發、生產與行銷。
合
- 關鍵字:
英飛凌 IGBT CIPOS 射極控制二極管技術 SOI
- 6月4日,為期3天的“PCIM China 2009”展會在上海光大會展中心落下帷幕。在展會期間,國內外知名功率半導體廠商向與會觀眾展示了眾多新產品和高能效解決方案;同時,參展企業也紛紛表示對中國功率半導體的市場前景充滿信心。
新產品亮相PCIM展
一年一度的PCIM展是功率半導體領域的盛會,同時也是業內企業展示新技術、新產品的舞臺。在今年的展會上,英飛凌推出IGBT(絕緣柵雙極晶體管)MIPAQ base模塊,該模塊是變頻器的核心部件。在傳統的變頻器中,通常要在I
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英飛凌 IGBT DIPIPM
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