- 數字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時鐘性能超過100MHZ)和高速先進外圍設備，通過CMOS處理技術，DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進步增加了DSP
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硬件設計 FlaSh DSP
- 使用LPC2106的Timer 1 進行的簡單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ，用戶可以從Flash或者SRAM中運行這些代碼。示例展示了ARM構架中中斷是如何操作
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Flash SRAM 觸發中斷
- 市調機構集邦科技旗下存儲器儲存事業處DRAMeXchange調查顯示，第4季各項NAND Flash終端需求確立旺季不旺，加上廠商庫存水位依舊偏高，采購意愿薄弱，
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NAND Flash
- 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉,關于使用燒錄器燒錄Nand Flash，一直都是很多用戶頭疼的難點，他們強調已經使用了正確的壞塊管理方案，也制定了規范的操作流程，但是燒錄的良品率還是無法提高，只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來!
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燒錄 SmartPRO 6000 Nand Flash
- 據海外媒體報道，韓國三星電子為全球第一家量產 3D 架構 NAND 型快閃存儲器(Flash Memory)的廠商，不過其NAND Flash 最大競爭對手東芝(Toshiba)追趕速度驚人，宣布已領先全球同業，研發出堆疊 64 層的 3D Flash 產品(見首圖)，且開始進行送樣。
東芝 27 日發布新聞稿宣布，已研發出堆疊 64 層的 3D Flash 制程技術，并自今日起領先全球同業開始進行樣品出貨，且預計將透過甫于 7 月完工的四日市工廠“新第 2 廠房”進行生
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東芝 Flash
- 許多廠商開始將重心轉移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產品中導入低成本的TLCFlash記憶體;眾多廠商爭相發展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場消長
在全快閃儲存陣列這類型產品誕生初期，唯一的賣點便是高效能，應用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領域。為了擴展應用環境，后來的全快閃儲存陣列發展也有了不同的發展。
我們可以把全快閃儲存陣列的發展分為4個階段：
第一階段是效能導向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類產品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣列
- 關鍵字：
Flash 存儲器
- 許多廠商開始將重心轉移到降低全快閃儲存陣列的成本，如Dell與EMC都已在全快閃產品中導入低成本的TLC Flash記憶體;眾多廠商爭相發展全快閃儲存陣列，也改變了既有的全快閃儲存市場消長
在全快閃儲存陣列這類型產品誕生初期，唯一的賣點便是高效能，應用面向也局限于線上交易處理等高IO需求領域。為了擴展應用環境，后來的全快閃儲存陣列發展也有了不同的發展。
我們可以把全快閃儲存陣列的發展分為4個階段：
第一階段是效能導向。提供高效能，是全快閃儲存陣列這類產品誕生的目的，早期的全快閃儲存陣
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Flash 存儲器
- 第三季NAND Flash供貨吃緊的態勢越發明顯，TLC-Wafer與現貨卡片價格自4月初以來已連續三個月份逐步走揚。
TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange最新報價顯示，第三季NAND Flash供貨吃緊的態勢越發明顯，TLC-Wafer與現貨卡片價格自4月初以來已連續三個月份逐步走揚，而近一個月漲幅開始增加。
DRAMeXchange研究協理楊文得表示，NAND Flash原廠持續降低對于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態硬碟(SS
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NAND Flash
- 三星西安工廠受到變電站爆炸停電影響，對供應緊張的NAND Flash雪上加霜，不過事故后回復速度很快，給當地供電局和三星應急處理點個贊。
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三星 Flash
- 全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應商慧榮科技總經理茍嘉章昨(21)日表示，固態硬碟(SSD)價格已到甜蜜點，今年出貨將大爆發，成為成長最強勁的記憶體產品;法人預估臺廠概念股群聯、創見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等，可望掀比價效應。
慧榮是以臺灣為研發重心，立足全球的國際公司，上周五(20日)股價以每股42.19美元創2005年6月在美國那斯達克掛牌以來新高，市值達1.48億美元(約新臺幣48.5億元)，同創歷史新高。
茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會后，針對今年NAND Fl
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NAND Flash
- 中國大陸業者在NANDFlash產業鏈的相關布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導體業揮軍全球的下一波焦點。
某研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，及國際廠如三星、英特爾增加產能，預估2020年中國大陸國內Flash月產能達59萬片，相較于2015年增長近7倍。
預估2012~2016年NANDFlash生產端年平均位元增長率達47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%，顯示NANDFlash仍為高速發展產業。
拓墣
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Flash 晶圓
- 中國大陸業者在NAND Flash產業鏈的相關布局與投資不斷開展，成為中國大陸半導體業揮軍全球的下一波焦點。TrendForce旗下拓墣產業研究所最新研究報告顯示，隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴廠，及國際廠如三星、英特爾增加產能，預估2020年中國大陸國內Flash月產能達59萬片，相較于2015年增長近7倍。
TrendForce預估2012~2016年NAND Flash生產端年平均位元增長率達47%，其最終消費端需求年平均位增長率亦高達46%，顯示NAND Flash仍為高速發
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Flash NAND
- Flash存儲器，簡稱Flash，它結合了ROM和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程的性能，還不會因斷電而丟失數據，具有快速讀取數據的特點;在現在琳瑯滿目的電子市場上，Flash總類可謂繁多，功能各異，而你對它了解有多少呢? 為了讓大家更深入了解Flash，今天將主要根據芯片的通信協議并且結合Flash的特點，給大家一個全新認識。 一、IIC?EEPROM IIC?EEPROM，采用的是IIC通信協議;IIC通信協議具有的特點：簡單的兩條總線線路，一條串行數據線(SDA)
- 關鍵字：
Flash EEPROM
- 資料儲存解決方案大廠NetApp表示，經由云端與Flash兩股推力驅動，讓近年IT基礎架構進入新一波的轉型期，其中2016年經由融合式基礎架構(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系統工具應用性竄升，將讓2016年成為IT的精簡之年。
此外值得注意的是，TLC架構的Flash存儲器借由需求性提升及單位成本快速下降，預期今年每GB的FLash價格也將較SAS硬碟更低，并讓All Flash資料中心的將進入主流儲存領
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Flash SAS
flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場效應管構成，寫入時，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時，則利用高壓下的隧道效應，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導體技術，內部是相對靜態的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導體技術發展很快，價格下降也很快，這是目前的MP3大多數是用FLASH閃存的原因。
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