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佳能將推出超高像素單反? 或命名EOS 3D

- 這已經(jīng)不是我們第一次聽到佳能高像素機(jī)型的消息。之前我們已經(jīng)聽說了4600萬像素,來自CR的最新消息則稱最終產(chǎn)品有可能是3930萬像素。此外,還有消息提到了DIGIC VI處理器,面世時(shí)間可能是2013年底到2014年初,早于高像素傳感器。需要提醒大家的是,這些消息都來自未經(jīng)驗(yàn)證的消息源。考慮到佳能一貫嚴(yán)格的消息封鎖政策,這些參數(shù)和型號更像是用戶自己的猜測。無論如何,在接下來的一段時(shí)間內(nèi),我們需要先關(guān)注佳能的APS-C產(chǎn)品。 佳能 EOS 3D假想圖 面對尼康D8
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Canon EOS M 超級比一比:入門無反光鏡單反的新挑戰(zhàn)者
- 有些出乎意料之外,但又同時(shí)在意料之內(nèi)的,Canon 的第一臺無反光鏡單眼相機(jī)選擇了從低端機(jī)入手。雖然很遺憾 Canon 沒有一出閘門就和對手們的高端機(jī)強(qiáng)碰,至仔細(xì)想一下就不難理解為什么 -- 和 Nikon 一樣,Canon 終究是有自己的低端 DSLR 可以占住等同于高端無反光鏡單眼這塊,自然就不必出類似的機(jī)器和自己人強(qiáng)碰。 其實(shí)認(rèn)真的說,EOS M 究竟該和誰拿來比,確實(shí)是讓我們傷了一下腦筋。單就規(guī)格來說,18MP 的 APS-C 感光器就已經(jīng)超出同類甚多,但考慮到它無比簡單的操作界面(沒有
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基于層次法實(shí)現(xiàn)EOS芯片的后端設(shè)計(jì)
- 1 引言集成電路(Integrated Circuit, IC)是指在一半導(dǎo)體基板上,利用氧化、蝕刻、擴(kuò)散等方法,將眾多電子電路組成各式二極管、晶體管等電子組件,做在一個(gè)微小面積上,以完成某一特定邏輯功能,達(dá)成預(yù)先設(shè)定好的電路
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放大器電氣過應(yīng)力EOS問題分析
- 當(dāng)我們考慮出現(xiàn)EOS問題的放大器時(shí),可能會想到靜電放電 (ESD) 。ESD使放大器引腳面臨短時(shí)、高壓、放電問題。 ...
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新一代PCIe Z-Drive R5固態(tài)存儲解決方案
- 集成芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell,納斯達(dá)克代碼:MRVL)和高性能固態(tài)硬盤供應(yīng)商的領(lǐng)導(dǎo)者OCZ技術(shù)集團(tuán)(納斯達(dá)克股票代碼:OCZ)今日聯(lián)合發(fā)布業(yè)內(nèi)速度最快、功能最全的PCIe存儲系統(tǒng)——Z-Drive R5,其性能、可靠性及耐用性的提升將企業(yè)應(yīng)用場景中基于PCIe的 固態(tài)存儲水平推向新的高度。
- 關(guān)鍵字: Marvell SSD Z-Drive R5
克服放大器電氣過應(yīng)力問題(下)

- 當(dāng)一個(gè)系統(tǒng)有多個(gè)電源時(shí),可能出現(xiàn)運(yùn)放電壓輸入高于電源軌的電氣過應(yīng)力(EOS)問題。通常工程師在考慮過應(yīng)力時(shí),常會想到靜電放電(ESD),而EOS往往被忽略 。本文介紹了EOS狀態(tài)及解決此問題的方法。
- 關(guān)鍵字: 運(yùn)算放大器 ESD 運(yùn)放 EOS 電氣過應(yīng)力 201005
克服放大器電氣過應(yīng)力問題(上)

- 當(dāng)一個(gè)系統(tǒng)有多個(gè)電源時(shí),可能出現(xiàn)運(yùn)放電壓輸入高于電源軌的電氣過應(yīng)力(EOS)問題。通常工程師在考慮過應(yīng)力時(shí),常會想到靜電放電(ESD),而EOS往往被忽略 。本文介紹了EOS狀態(tài)及解決此問題的方法。
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eos r5介紹
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