- 智能手機的運算能力越來越高，下載速度也越來越快，儲存芯片的讀寫速度亦需要配合，才能發揮每個環節的最高效能。日前三星（Samsung）就宣布開始大規模投產512GB的eUFS 3.1儲存芯片，它的特點就是其讀寫速度較上一代更快。
- 關鍵字：
三星 Galaxy Note 20 512GB eUFS 3.1
- 據介紹，三星512GB eUFS采用了三個三星最新的64層512千兆(Gb)V-NAND芯片和一個控制器芯片。
- 關鍵字：
三星 eUFS
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