當前，由于消費電子市場需求持續疲弱，當前存儲器賣方面臨庫存高企壓力，以DRAM和NAND Flash為主的存儲器產品價格持續下探。為避免存儲器產品再出現大幅跌價，多家供應商已經開始積極減產，盡管2023年第一季價格跌幅將有所收斂，但集邦咨詢仍預估當季DRAM價格跌幅將達13~18%，NAND Flash均價跌幅為10~15%。對于第二季DRAM產業市況發展，近日，南亞科和華邦電給出了各自的看法。李培英：下半年市況將有所好轉南亞科總經理李培英認為，受高通貨膨脹與供應鏈不順影響，今年上半年將是DRAM市況最差
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DRAM 存儲
華邦消費性電子應用需求回溫本季是谷底；南亞科上半年跌幅收斂。
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DRAM NAND
由于DRAM及NAND Flash第一季價格續跌，加上庫存水位過高，終端消費支出持續放緩，據外電消息，韓國三星電子及SK海力士本季度的芯片業務恐因提列庫存損失而面臨數十億美元虧損。法人指出，南亞科（2408）及華邦電（2344）因減產及跌價導致營收及毛利率持續下滑，第一季本業虧損恐將在所難免。據外電報導，三星電子3月19日提交給韓國金融監督院的申報文件中指出，截至去年第四季，整體庫存資產達到52.2兆韓元（約折合399億美元），遠高于2021年的41.4兆韓元并創下歷史新高。其中，占三星營收比重最高的半導
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存儲器 DRAM NAND Flash
近日，外媒《BusinessKorea》報道稱，三星的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據稱這將改變存儲器行業的游戲規則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結構？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發明了動態隨機存取存儲器（DRAM），而在不久的將來，這份偉大的成就為半導體行業締造了一個影響巨大且市場規模超千億美元的產業帝國。DRA
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3D DRAM 存儲器
存儲模組大廠威剛認為，以供給面而言，DRAM供給相對單純且市場庫存水位較低，看好DRAM價格回溫時間可望早于NAND
Flash。目前消費性需求尚未全面復蘇，第一季DRAM與NAND
Flash合約價仍有小幅下跌壓力，但存儲器中下游業者庫存調整已歷經近一年時間，并也降至相對健康水位，因此只要存儲器價格明確落底，市場備貨需求將可望快速啟動，加速產業供需平衡。威剛預估，第一季營收走勢可望逐月走升，第二季優于第一季，下半年可望明顯回升，宇瞻則認為，DRAM上半年仍會處于供過于求，但在原廠減產、減少資本支
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存儲模組 威剛 宇瞻 DRAM
據外媒《BusinessKorea》報道，三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長兼工藝開發室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區三成洞韓國貿易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認為是半導體產業的未來增長動力?？紤]到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現有
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存儲 3D DRAM
本文將解析使 3D NAND、高級 DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構、工具和材料。要提高高級 SoC 和封裝（用于移動應用程序、數據中心和人工智能）的性能，就需要對架構、材料和核心制造流程進行復雜且代價高昂的更改。正在考慮的選項包括新的計算架構、不同的材料，包括更薄的勢壘層和熱預算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長。挑戰在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠的方式組合這些。當今的頂級智能手機使用集成多種低功耗、高性能功能的移動 SoC 平臺，包括一個或多
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3D NAND DRAM 5nm SoC
IT之家 2 月 20 日消息，TrendForce 集邦咨詢今日發布報告稱，2023 年的 Server DRAM 位元產出比重約 37.6%，將正式超越 Mobile DRAM 的 36.8%?！?圖源：TrendForce 集邦咨詢報告指出，自 2022 年起 DRAM 原廠持續將原先配置給 Mobile DRAM 的產能移轉至前景相對強勁穩健的 Server DRAM，試圖減輕 Mobile DRAM 端供需失衡的壓力。2023 年由于智能手機出貨增長率與平均搭載容量成長率仍保守，原廠的
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DRAM 市場
IT之家 2 月 10 日消息，據威剛官方消息，威剛 1 月合并營收僅月減 7.57% 為 21.77 億元新臺幣。威剛表示，公司短期內仍將維持彈性且謹慎的庫存策略，并隨時掌握產業變化，預期內存產業供應鏈庫存有望在今年上半年逐步去化完成，隨著下半年消費性需求回籠，以及各項產品單機內存搭載容量快速成長，內存產業需求有望從第三季起恢復成長動能。威剛董事長陳立白進一步指出，目前公司對內存景氣展望不變，預期本季內存價格仍處短期修正波段，但受惠于上游供應商獲利不再且投片態度轉趨保守，DRAM 與 NAND
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威剛 DRAM
2023 年 2 月 7 日消息，據 DT 報道稱主要存儲廠商包括美光、SK海力士、三星等存儲大廠們的芯片庫存仍在不斷膨脹擠壓中，庫存壓力巨大。不斷增長的庫存壓力也讓供銷商對終端出貨的預期保持謹慎，甚至預測到 2023 年第四季度才能回暖。價格方面，目前 DRAM 內存芯片價格預計一季度下跌 20%，二季度下跌 11%；而 NAND 閃存價格預計一季度下跌 10%，二季度下跌 3%，各位有需求入手儲存卡、固態硬盤 SSD 的用戶，近期好價可以選擇入手！
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DRAM 市場
IT之家 2 月 1 日消息，TrendForce 集邦咨詢最新報告指出，全球經濟持續疲軟，促使北美四大云服務供應商下修 2023 年服務器采購量，且數字可能持續下修，下修幅度由多到少依次為 Meta、Microsoft（微軟）、Google（谷歌）、AWS（亞馬遜云科技）。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨詢預計，四家廠商服務器采購量由原先預估的同比增長 6.9%，降至 4.4%，此將影響 2023 年全球服務器整機出貨年增率下降到 1.87%，進一步加劇 Server DRAM 供
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DRAM 市場
IT之家 12 月 26 日消息，韓國《首爾經濟日報》表示，盡管明年全球經濟將放緩，三星電子仍計劃明年在其最大半導體工廠增加芯片產能。據稱，三星 2023 年存儲器和系統半導體的晶圓產能提高約 10%。業內消息人士稱，三星電子將在位于韓國平澤的 P3 工廠增加 DRAM 設備，12 英寸晶圓月產能可達 7 萬片，明年將把 P3 代工晶圓產能提高 3 萬片（共 10 萬），高于目前 P3 廠 DRAM 產線的每月 2 萬片產能。三星電子計劃利用新的設備生產 12 納米級 DRAM。截至今
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三星 晶圓代工 DRAM
三星電子宣布，已成功開發出其首款采用12納米（nm）級工藝技術打造的16 Gb DDR5 DRAM，并與AMD一起完成了兼容性方面的產品評估。三星電子首款12納米級DDR5 DRAM三星電子高級副總裁兼DRAM產品與技術負責人Jooyoung Lee表示："三星12nm級DRAM將成為推動整個市場廣泛采用DDR5
DRAM的關鍵因素。憑借卓越的性能和能效，我們希望新款DRAM能夠成為下一代計算、數據中心和AI驅動系統等領域更可持續運營的基礎。"AMD高級副總裁、企業院士兼客戶、計算
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三星電子 12納米 DDR5 DRAM
IT之家 12 月 8 日消息，SK 海力士今日在官網宣布，成功開發出 DDR5 多路合并陣列雙列直插內存模組樣品，這是目前業界最快的服務器 DRAM 產品。該產品的最低數據傳輸速率也高達 8Gbps，較之目前 DDR5 產品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。官方稱，該 MCR DIMM 產品采用了全新的方法來以提高 DDR5 的傳輸速度。雖然普遍認為 DDR5 的運行速度取決于單個 DRAM 芯片的速度，但 SK 海力士工程師在開發該產品時另辟蹊徑，提高了模塊的速度而非單個 DRAM 芯
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SK海力士 DRAM
12月5日，DRAM大廠南亞科發布公告11月自結合并營收為新臺幣27.71億元，較上月減少0.40%，較去年同期減少61.81%。累計合并營收為新臺幣545.52億元，較去年同期減少30.65%。據TrendForce集邦咨詢11月16日研究顯示，南亞科（Nanya）因consumer
DRAM產品比重高，第三季營收衰退達40.8%，衰退幅度為第三季前六大業者最甚。南亞科已于第四季小幅減少投片，但轉進1Anm的進度仍舊持續，預期2023上半年推出樣本，然客戶端因需求展望保守，導入意愿可能并不積極，預計
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DRAM 南亞科
dram介紹
DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動態隨機存儲器最為常見的系統內存。DRAM 只能將數據保持很短的時間。為了保持數據，DRAM使用電容存儲，所以 必須隔一段時間刷新（refresh）一次，如果存儲單元沒有被刷新，存儲的數據就會丟失。 它的存取速度不快，在386、486時期被普遍應用。
動態RAM的工作原理 動態RAM也是由許多基本存儲元按照行和列來組 [
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