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如何為便攜產(chǎn)品選擇合適的LDO

  • 如何為便攜產(chǎn)品選擇合適的LDO-　接地電流或靜態(tài)電流 （IGND 或 IQ）、電源波紋抑止比 （PSRR）、噪聲與封裝大小通常是為便攜式應(yīng)用決定最佳LDO選擇的要素。在選擇低壓降線性調(diào)節(jié)器（LDO） 時，需要考慮的基本問題包括輸入電壓范圍、預(yù)期輸出電壓、負(fù)載電流范圍以及其封裝的功耗能力。
  • 關(guān)鍵字： LDO  便攜電子  

LDO在IoT中省電的兩種方法

  • LDO在IoT中省電的兩種方法-　隨著物聯(lián)網(wǎng) （IoT） 不斷占領(lǐng)于我們的住宅和辦公場所，我們會發(fā)現(xiàn)越來越多的電器和系統(tǒng)集成了電子元器件，而且我們能夠在世界上的任何一個角落訪問這些電器和系統(tǒng)。
  • 關(guān)鍵字： LP2951  LDO  IOT  

揭開廢棄紐扣電池的秘密

  • 揭開廢棄紐扣電池的秘密-監(jiān)視便攜式設(shè)備或配套服務(wù)系統(tǒng)中紐扣電池的電壓等級，對現(xiàn)代 CMOS 運(yùn)算放大器來說是一項常見的簡單應(yīng)用。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  CR2032  德州儀器  

TI工程師教你設(shè)計更小的電源

  • TI工程師教你設(shè)計更小的電源-假設(shè)您幾乎已經(jīng)完成了最新、最重大的應(yīng)用設(shè)計。所有漏洞都已清除，而且非常好用。差不多該進(jìn)入主要階段了，但還要解決最有一件事：電源。
  • 關(guān)鍵字： TI  LDO  TLV71333P  

所有這些干擾都是從哪里來的？

  • 所有這些干擾都是從哪里來的？-自從進(jìn)入市場以來，CMOS 單電源放大器就給全球單電源系統(tǒng)設(shè)計人員帶來了極大優(yōu)勢。影響雙電源放大器總諧波失真 + 噪聲 （THD+N） 特性的主要因素是輸入噪聲與輸出級交叉失真。單電源放大器的 THD+N 性能也源自放大器的輸入輸出級。但是，輸入級對 THD+N 的影響可讓單電源放大器的這一規(guī)范屬性變得復(fù)雜。
  • 關(guān)鍵字： CMOS  電源放大器  THD  

硅光子芯片設(shè)計突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸

  • 硅光子芯片設(shè)計突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸-當(dāng)今的硅光子芯片必須采用復(fù)雜的制造制程連接光源與芯片，而且也和晶圓級堆棧密不可分。
  • 關(guān)鍵字： 硅光子  半導(dǎo)體芯片  CMOS  芯片設(shè)計  

基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案

  • 基于MPS芯片的系統(tǒng)電源解決方案-隔離電源模塊可以高效解決各種端口干擾，開關(guān)芯片轉(zhuǎn)換出各種系統(tǒng)所需電壓，LDO給MCU處理器提供穩(wěn)定可靠的電能。電源模塊與芯片方案需要互助互補(bǔ)，各取所長才能共建一個良好的系統(tǒng)供電環(huán)境，同時開啟它們的共贏之路。
  • 關(guān)鍵字： MPS模塊  MOSFET  LDO  DC-DC  

如何解決電源管理芯片效率不高的問題？

  • 如何解決電源管理芯片效率不高的問題？-DC-DC控制IC在各電子產(chǎn)品中應(yīng)用廣泛，為了統(tǒng)一物料，工程師往往會用自己熟悉且能輸出較大電流的DC-DC芯片，不管負(fù)載大小均用一個型號一統(tǒng)江湖。由此可能在小負(fù)載電流時，效率不盡如人意，該怎么解決？
  • 關(guān)鍵字： 電源管理芯片  DC-DC  LDO  

cmos+憶阻器實現(xiàn)高效分布式處理兼存儲功能的傳感器架構(gòu)

  • cmos+憶阻器實現(xiàn)高效分布式處理兼存儲功能的傳感器架構(gòu)-依靠憶阻器執(zhí)行像素級自適應(yīng)背景提取算法的成像傳感器架構(gòu),與全cmos成像傳感器相比，基于憶阻器的解決方案可取得更小的像素間距和非易失性存儲功能，讓設(shè)計人員能夠使用可編程時間常數(shù)建立圖像背景模型。
  • 關(guān)鍵字： cmos  憶阻器  傳感器  

資深工程師教你如何設(shè)計一個合適的系統(tǒng)電源

  • 資深工程師教你如何設(shè)計一個合適的系統(tǒng)電源-分析電源需求不僅僅是關(guān)心輸入電壓，輸出電壓和電流，還要仔細(xì)考慮總的功耗，電源實現(xiàn)的效率，電源部分對負(fù)載變化的瞬態(tài)響應(yīng)能力，關(guān)鍵器件對電源波動的容忍范圍以及相應(yīng)的允許的電源紋波，還有散熱問題等。
  • 關(guān)鍵字： 電源  LDO  

ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術(shù)指標(biāo)

  • ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術(shù)指標(biāo)-CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料，因而受光后產(chǎn)生電子的基本原理相同，但是讀取過程不同：CCD 是在同步信號和時鐘信號的配合下以幀或行的方式轉(zhuǎn)移，整個電路非常復(fù)雜，讀出速率慢；CMOS 則以類似 DRAM的方式讀出信號，電路簡單，讀出速率高。
  • 關(guān)鍵字： ccd  cmos  圖像傳感器  
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cmos-ldo介紹

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