- X-FAB Silicon Foundries日前發表XT018，世界首創180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數量，也避免栓鎖效應(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。
- 關鍵字：
X-FAB XT018 MOS
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