- 近年來，最吸引人眼球的可能是“5G”、“人工智能”、“自動駕駛”等時髦的詞匯，大家的注意力也都集中在這些領域，但其實，有一個已經真正落地，大部分人都還沒注意到的應用——直流無刷電機（BLDC）市場正在悄然興起，而且成長迅速。根據市場公開的資料，2018年全球無刷直流電機的市場規模為153.6億美元，樂觀的市場研究機構預計未來五年，市場將會以13%的年復合增長率持續增長；當然也有機構認為年復合增長率會在6.5%左右。但不論是6.5%，還是13%的增長率，這個市場都非常值得期待。由于BLDC本身可以節約能源，
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Richtek RT7083GQW MCU Gate Driver 壁掛爐熱風機
- 由于傳統微縮(scaling)技術系統的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal
Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過采用該新技術，并將其應用于全新的1anm LPDDR5X DRAM,
即便在低功率設置下也實現了晶體管性能的顯著提高。本文針對HKMG及其使用益處進行探討。厚度挑戰: 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲數據的單元晶體管(Cell
Transistor)、恢復數據的核心晶體管(Core
Tr
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SK海力士 High-k Metal Gate
- 許多高速數據采集應用，如激光雷達或光纖測試等，都需要從嘈雜的環境中采集小的重復信號，因此對于數據采集系統的設計來說，最大的挑戰就是如何最大限度地減少噪聲的影響。利用信號平均技術，可以讓您的測量測試系統獲取更加可靠的、更加有效的測試數據。
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光纖測試 RAM 激光雷達 GATE
- 據消息來源透露，三星公司的芯片制造技術發展戰略可能發生較大的變化，他們正在考慮轉向使用gate-last工藝制作high-k器件。按照三星原來的計劃，他們將在年內推出的28/32nm制程芯片產品中使用gate-first工藝來制作high-k型器件。不過也有人認為三星很可能只在28/32nm制程 中才會采用gate-first工藝，而在22nm制程則會轉向采用gate-last工藝。于此同時，三星芯片代工業務部門的副總裁Ana Hunter則拒絕就三星轉向gate-last工藝事宜發表任何評論。
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三星 Gate-last
- 去年夏季，一直走Gate-first工藝路線的臺積電公司忽然作了一個驚人的決定：他們將在其28nm HKMG柵極結構制程技術中采用Gate-last工藝。不過據臺積電負責技術研發的高級副總裁蔣尚義表示，臺積電此番作出這種決定是要“以史為鑒”。以下，便讓我們在蔣尚義的介紹中，了解臺積電28nm HKMG Gate-last工藝推出的背景及其有關的實現計劃。
Gate-last是用于制作金屬柵極結構的一種工藝技術，這種技術的特點是在對硅片進行漏/源區離子注入操作以及隨后的高溫
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臺積電 Gate-last 28nm
- 新加坡特許半導體計劃在今年第四季度推出32nm制造工藝，明年上半年再進一步轉入28nm。
特許半導體很可能會在明天的技術論壇上公布32nm SOI工藝生產線的試運行計劃，并披露28nm Bulk CMOS工藝路線圖，另外45/40nm LP低功耗工藝也已就緒。
特許的28nm工藝并非獨立研發，而是在其所處的IBM技術聯盟中獲取的，將會使用高K金屬柵極(HKMG)技術以及Gate-first技術(Intel是Gate-last的堅定支持者)。
特許半導體2009年技術論壇將在臺灣新竹市
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特許半導體 32nm 28nm Gate-first
- 臺積電28納米制程再邁大步，預計最快2010年第1季底進入試產，2011年明顯貢獻營收，臺積電可望在28納米世代迎接中央處理器(CPU)代工訂單，目前28納米制程技術最大競爭對手，仍是來自IBM陣營的Global Foundries與新加坡特許(Chartered)，雙方競爭更趨激烈。
臺積電表示，已將低耗電制程納入28納米高介電層/金屬閘(HKMG)制程技術藍圖，預計2010年第3季進行試產，至于28納米低功耗制程(28LP)、高效能制程(28HP)則分別于2010年第1季底、第2季底進入試產
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臺積電 28納米 gate-last
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