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波士頓半導體設備公司完成總部及Aetrium測試分類機事業部遷址

  • 　　2015年年3月17日麻州柏林頓市報導 - 波士頓半導體設備公司(BSE)今天宣布已完成進駐位于麻州比勒利卡聯邦街4號的全新企業總部全新的辦公大樓涵蓋各種部門，其中于2014年年并購的Aetrium測試分類機事業部也從明尼蘇達州一并遷移到麻州。 　　「新場所有足夠的空間，可以容納我們未來持續的擴張與成長。」波士頓半導體設備公司總裁與首席執行官Bryan Ba??nish 這么說。 「Aetrium 測試分類機事業部的轉型非常順利，比勒利卡的工廠也已經開始投入生產。分類機將會于本月開始出貨。」 　　
  • 關鍵字： 半導體  BSE  Aetrium  

波士頓半導體設備宣布擴張業務與服務組織架構

  • 　　波士頓半導體設備公司(Boston Semi Equipment LLC)(BSE 集團)今日宣布已完成MVTS及Aetrium 與BSE 經銷管道的業務與服務團隊整合。本次整合將形成單一管道的全球業務與服務團隊，為BSE 顧客提供更優質服務。企業組織延攬了50 位經驗豐富的半導體設備產業專家，分布于全球各地，為各國半導體公司解決包括研發實驗室到制造廠房的使用需求。 　　「此次組織整合的完成，將提供17 位業務與應用程式專家以及33 位服務技術專員，給予10 個國家市場的BSE 客戶支援。」BSE
  • 關鍵字： 波士頓半導體  MVTS  BSE   

波士頓半導體設備公司收購MVTS 技術公司

  • 　　波士頓半導體設備公司(BSE) 近日宣布其已完成對MVTS 技術公司(MVTS) 的收購。 BSE 和MVTS 均為重新翻修的自動化測試設備(ATE) 市場中的業界領先企業。兩間公司在產品系列、服務提供和全球影響力方面合二為一，將為二級市場尋求ATE 設備解決方案的公司提供一個單一、全面的來源。　　波士頓半導體設備公司總裁兼執行長Bryan Banish 表示：「這筆收購顯著增強了我們的ATE 業務。MVTS 的服務一向享有盛譽，并且與原廠設備制造商的合作歷史悠久。」　　自1994 年以來，MVTS
  • 關鍵字： BSE  MVTS  OEM  

波士頓半導體推出Aetrium分選機直銷與服務

  • 　　波士頓半導體設備公司(BSE) 近日宣布，其在亞洲的現有銷售與服務機構將立即開始在該地區提供Aetrium 分選機的銷售與服務。 BSE 最近收購了Aetrium Inc. 的測試分選機資產(其使用者與使用波士頓半導體設備公司現有自動化測試設備(ATE) 的公司及部門相同)。 BSE 龐大的亞洲銷售與服務團隊力量將為Aetrium 分選機提供支援, 更可以加強該公司對亞洲地區關鍵半導體制造商及封測代工(OSAT) 客戶的支援。　　波士頓半導體設備公司執行副總裁Colin Scholefield 稱：「
  • 關鍵字： BSE  Aetrium  ATE  

波士頓半導體設備公司宣布已與泰瑞達達成訴訟和解

  • 2013 年 10 月 24 日，波士頓半導體設備公司 ("BSE") 宣布其已與泰瑞達 (Teradyne) 就所有未決訴訟事宜達成和解，并簽署了一項協議。
  • 關鍵字： 泰瑞達  BSE  

BSE集團半導體制造設備組合已超過1.50億美元

  • Boston Semi Equipment, LLC(BSE 集團)宣布，其 Test Advantage Capital 集團管理的半導體制造設備組合已超過1.50 億美元，這標志著公司到達一個重要里程碑。Test Advantage Capital 是與合伙公司 Somerset Capital Group 共同創辦的，主要為客戶制定結構化融資計劃，幫助客戶利用可以提高靈活性和融資效益的融資策略獲得資產。Boston Semi Equipment 的租賃業務也在不斷增長，獲得了其財務合作伙伴 Wafr
  • 關鍵字： BSE  半導體  

Test Advantage通過收購Microstats拓展亞洲業務

  • Boston Semi Equipment Group（BSE 集團）旗下公司 Test Advantage 今天宣布已經收購了位于菲律賓的一家面向自動測試設備 (ATE) 市場的硬件維修中心 Microstats, LLC。這兩家公司將整合它們的產品、解決方案和共同的客戶群，以增強 Test Advantage 在后端半導體市場的產品和服務。
  • 關鍵字： BSE   ATE  
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bse介紹

　　背散射電子 　　back scattered electron 　　背散射電子是由樣品反射出來的初次電子，其主要特點是： 能量很高，有相當部分接近入射電子能量 E 0 ，在試樣中產生的范圍大，像的 分辨率低。 背散射電子發射系數 η =I B /I 0 隨原子序數增大而增大。 作用體積隨入射束能量增加而增大，但發射系數變化不大。 [ 查看詳細 ]

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